【產(chǎn)通社，5月20日訊】中國(guó)科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，隨著航天裝備對(duì)高性能存儲(chǔ)器的迫切需求，傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)面臨瓶頸，國(guó)產(chǎn)FeRAM的突破有望為航天裝備的高效穩(wěn)定運(yùn)行提供全新解決方案。

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所羅慶研究員團(tuán)隊(duì)研發(fā)了Mbit容量抗輻照鉿基FeRAM存儲(chǔ)器芯片MCF08M433。該產(chǎn)品采用摻雜HfO?基鐵電材料，解決了傳統(tǒng)鐵電材料與CMOS工藝兼容性差、尺寸微縮難等難題，并通過(guò)抗輻照加固技術(shù)實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的抗輻照性能。該芯片具有高可靠、高速率、低功耗、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。2024年1月至今，該芯片已完成空間實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證其對(duì)程序、配置參數(shù)或運(yùn)算數(shù)據(jù)的可靠存儲(chǔ)，證明了其在極端環(huán)境下的可靠性，可滿(mǎn)足航天領(lǐng)域需求。

查詢(xún)進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://ime.cas.cn/kygz/kydt/202505/t20250516_7655221.html。（Robin Zhang，產(chǎn)通數(shù)造）    （完）