【產(chǎn)通社，4月3日訊】深圳平湖實驗室官網(wǎng)消息，SiC是第三代半導體材料，在低功耗、小型化、高壓、高頻的應用場景有極大優(yōu)勢。但SiC由于莫氏硬度高達9.5，是很難加工的材料，傳統(tǒng)襯底工藝用到的多線切割工藝單片襯底材料損失和切割時間如下：
6 inch SiC晶錠：切割時間約130h，單片材料損失約280～300 μm；
8 inch SiC 晶錠：切割時間約180h，單片材料損失約280～300 μm；

由此計算，1顆SiC晶錠，厚度為20 mm，單片損失按照300μm，理論產(chǎn)出晶片30片，單片材料損耗率達到46%。

為降低材料損耗，深圳平湖實驗室新技術研究部開發(fā)激光剝離工藝來替代傳統(tǒng)的多線切割工藝，使用激光剝離工藝，得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產(chǎn)品單片材料損耗≤120μm，出片率提升40%，單片成本降低約22%。

激光剝離技術在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著效果，該工藝的推廣，對于快速促進8 inch SiC襯底產(chǎn)業(yè)化進程有著重要意義。不僅為SiC襯底產(chǎn)業(yè)帶來了輕資產(chǎn)、高效益的新模式，也為其他硬質(zhì)材料的加工提供了新的思路和方法，推動材料科學、激光技術等相關領域的進步與發(fā)展。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.szphl.cn/148.html。（Robin Zhang，產(chǎn)通數(shù)造）    （完）