【產(chǎn)通社，3月12日訊】羅姆株式會社（ROHM Semiconductor；東京證交所股票代碼：6963.T）官網(wǎng)消息，其面向企業(yè)級高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET。

新產(chǎn)品共3款機型，包括非常適用于企業(yè)級高性能服務(wù)器12V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)和熱插拔控制器（HSC）電路的RS7E200BG（30V），以及非常適用于AI服務(wù)器48V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)的RS7N200BH（80V）和RS7N160BH（80V）。


產(chǎn)品特點


隨著高級數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進步和數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速，對支撐數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器的需求不斷增加。此外，對具有高級計算能力的AI處理服務(wù)器的需求也呈增長趨勢，預(yù)計未來將會持續(xù)增長。由于這些服務(wù)器需要24小時不間斷運轉(zhuǎn)（始終通電），因此電源單元中使用的多個MOSFET的導(dǎo)通電阻造成的導(dǎo)通損耗，會對系統(tǒng)整體性能和能效產(chǎn)生很大影響。特別是在AC-DC轉(zhuǎn)換電路中，其導(dǎo)通損耗占比較高，因此需要使用導(dǎo)通電阻低的MOSFET。另外，服務(wù)器配備了熱插拔功能，可以在通電狀態(tài)下更換和維護內(nèi)部的板卡和存儲設(shè)備，在更換等情況下，服務(wù)器內(nèi)部會產(chǎn)生較大的浪涌電流。因此，更大的安全工作區(qū)范圍（寬SOA范圍）對于保護服務(wù)器內(nèi)部和MOSFET而言至關(guān)重要。對此，ROHM新開發(fā)出一種DFN5060-8S封裝，與以往封裝形式相比，封裝內(nèi)部的芯片可用面積增加，從而開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻和寬SOA范圍的功率MOSFET。新產(chǎn)品非常有助于提高服務(wù)器電源電路的效率和可靠性。

新產(chǎn)品均采用新開發(fā)的DFN5060-8S（5.0mm×6.0mm）封裝，與以往的HSOP8（5.0mm×6.0mm）封裝相比，封裝內(nèi)的芯片可用面積增加了約65%。這使得新產(chǎn)品能夠以5.0mm×6.0mm的封裝尺寸實現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻，30V產(chǎn)品“RS7E200BG”的導(dǎo)通電阻僅為0.53mΩ（Typ.），80V產(chǎn)品“RS7N200BH”僅為1.7mΩ（Typ.），非常有助于提高服務(wù)器電源電路的效率。

另外，通過優(yōu)化封裝內(nèi)部的夾片形狀設(shè)計，提高了散熱性能，同時提高了有助于確保應(yīng)用產(chǎn)品可靠性的SOA范圍。尤其是30V產(chǎn)品“RS7E200BG”，其SOA范圍達70A以上（條件：脈沖寬度=1ms、VDS=12V時），與以往的HSOP8封裝產(chǎn)品相比，在相同條件下SOA范圍提高了一倍，從而以5.0mm×6.0mm的封裝尺寸實現(xiàn)了業(yè)界超高的SOA范圍。


供貨與報價


新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)（樣品價格：710日元/個，不含稅）。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產(chǎn)基地為OSAT（泰國）。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開始通過電商進行銷售，通過Oneyac、Sekorm等電商平臺均可購買。

查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://micro.rohm.com.cn/mus-ic。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）