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ROHM將量產(chǎn)小型高散熱TOLL封裝的650V耐壓GaN HEMT
2025/2/18 16:13:42     

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【產(chǎn)通社,2月18日訊】羅姆株式會社(ROHM Semiconductor;東京證交所股票代碼:6963.T)官網(wǎng)消息,其已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT GNP2070TD-Z投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小,散熱性能出色,還具有優(yōu)異的電流容量和開關(guān)特性,因此在工業(yè)設(shè)備、車載設(shè)備以及需要支持大功率的應(yīng)用領(lǐng)域被越來越多地采用。


產(chǎn)品特點(diǎn)


功率元器件是提高效率的關(guān)鍵,SiC(碳化硅)、GaN等新材料有望進(jìn)一步提高各種電源的效率。ROHM于2023年4月將650V耐壓的第1代GaN HEMT投入量產(chǎn),并于2023年7月將柵極驅(qū)動器和650V耐壓GaN HEMT一體化封裝的Power Stage IC投入量產(chǎn)。為了應(yīng)對大功率應(yīng)用中的進(jìn)一步小型、高效率化的市場要求,ROHM采取在以往的DFN8080封裝基礎(chǔ)上追加的形式來強(qiáng)化650V GaN HEMT的封裝陣容。在TOLL封裝中內(nèi)置第2代元件并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。

新產(chǎn)品在TOLL封裝內(nèi)置第2代GaN on Si芯片,在與導(dǎo)通電阻和輸入電容相關(guān)的器件性能指標(biāo) (RDS(ON)×Qoss) 方面,數(shù)值表現(xiàn)達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。這將有助于需要高耐壓且高速開關(guān)的電源系統(tǒng)進(jìn)一步節(jié)能和小型化。新產(chǎn)品已于2024年12月投入量產(chǎn)(樣品價(jià)格 3,000日元/個(gè),不含稅),并已開始電商銷售,通過電商平臺均可購買。

關(guān)于新產(chǎn)品的量產(chǎn),ROHM利用其在垂直統(tǒng)合型一體化生產(chǎn)體系中所積累的元器件設(shè)計(jì)技術(shù)和自有優(yōu)勢,進(jìn)行了相關(guān)的設(shè)計(jì)和規(guī)劃,并于2024年12月10日宣布作為與臺積電(TSMC)合作的一環(huán),前道工序在TSMC生產(chǎn),后道工序在ATX生產(chǎn)。另外,ROHM還計(jì)劃與ATX合作生產(chǎn)車載GaN器件。預(yù)計(jì)從2026年起,GaN器件在汽車領(lǐng)域的普及速度將會加快,ROHM計(jì)劃在加強(qiáng)內(nèi)部開發(fā)的同時(shí),進(jìn)一步加深與這些合作伙伴之間的關(guān)系,以加快車載GaN器件投入市場的速度。


供貨與報(bào)價(jià)


查詢進(jìn)一步信息,請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://micro.rohm.com.cn/mus-ic。(張怡,產(chǎn)通發(fā)布)    (完)
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