【產(chǎn)通社，11月8日訊】德州儀器（Texas Instruments Incorporated；NASDAQ股票代碼：TXN）官網(wǎng)消息，其基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠開始投產(chǎn)。隨著會(huì)津工廠投產(chǎn)，加上已有 GaN 制造產(chǎn)能，德州儀器的 GaN 功率半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能將提升至原來的四倍。

德州儀器技術(shù)和制造集團(tuán)高級(jí)副總裁 Mohammad Yunus 表示：“基于在 GaN 芯片設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域數(shù)十年的專業(yè)知識(shí)，我們已成功驗(yàn)證了德州儀器 8 英寸 GaN 技術(shù)并將開始大規(guī)模生產(chǎn)。這種 GaN 制造方式在目前階段擁有顯著的可擴(kuò)展性和成本優(yōu)勢(shì)，頗具里程碑意義，可助力我們不斷擴(kuò)大 GaN 芯片的自有制造。到 2030 年，我們的自有制造產(chǎn)能將增至 95% 以上，同時(shí)實(shí)現(xiàn)從多個(gè)德州儀器工廠供貨，從而確保我們高功率、高能效 GaN 半導(dǎo)體產(chǎn)品全系列的可靠供應(yīng)�！�

德州儀器新增的 GaN 產(chǎn)能所帶來的性能優(yōu)勢(shì)還包括，可以支持公司將 GaN 芯片應(yīng)用擴(kuò)展到更高的電壓范圍，起始電壓為900V，并隨時(shí)間推移擴(kuò)展至更高電壓，進(jìn)一步推動(dòng)機(jī)器人、可再生能源和服務(wù)器電源等應(yīng)用在功效和尺寸方面的創(chuàng)新。

德州儀器的擴(kuò)大投資還包括今年年初成功開展的在 12 英寸晶圓上開發(fā) GaN 制造工藝的試點(diǎn)項(xiàng)目。此外，德州儀器擴(kuò)展后的 GaN 制造工藝可全面轉(zhuǎn)為采用 12 英寸技術(shù)，使公司可根據(jù)客戶需求迅速擴(kuò)展規(guī)模并為未來轉(zhuǎn)為 12 英寸技術(shù)做好準(zhǔn)備。

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