【產(chǎn)通社，3月15日訊】東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）官網(wǎng)消息，其高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD）適用于包括數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等應(yīng)用的開(kāi)關(guān)電源。


產(chǎn)品特點(diǎn)


新產(chǎn)品采用高速二極管，旨在改善橋式電路和逆變電路應(yīng)用中至關(guān)重要的反向恢復(fù)特性。與標(biāo)準(zhǔn)型DTMOSVI相比，新產(chǎn)品將反向恢復(fù)時(shí)間（trr）縮短了65%，并將反向恢復(fù)電荷（Qrr）減少88%（測(cè)試條件：-dIDR/dt＝100A/μs）。

新產(chǎn)品采用的DTMOSVI（HSD）工藝改善了東芝DTMOSIV系列（DTMOSIV（HSD））的反向恢復(fù)特性，并在高溫下具有更低的漏極截止電流。此外，新產(chǎn)品的品質(zhì)因數(shù)“漏極-源極導(dǎo)通電阻×柵極-漏極電荷”也更低。相較于東芝現(xiàn)有的TK62N60W5器件，TK042N65Z5的高溫漏極截止電流降低了約90%，漏極-源極導(dǎo)通電阻×柵極-源極電荷降低了72%。這將一進(jìn)步將降低功率損耗，有助于提高產(chǎn)品效率。在1.5kW LLC電路測(cè)試中，與使用TK62N60W5相比，使用TK042N65Z5可使電源效率提高約為0.4%。

即日起，客戶可在東芝網(wǎng)站上獲取使用TK095N65Z5的參考設(shè)計(jì)1.6kW服務(wù)器電源（升級(jí)版）。此外，東芝還提供支持開(kāi)關(guān)電源電路設(shè)計(jì)的相關(guān)工具。除能夠迅速驗(yàn)證電路功能的G0 SPICE模型外，現(xiàn)在還提供能夠準(zhǔn)確地再現(xiàn)電路瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。


供貨與報(bào)價(jià)


東芝計(jì)劃在未來(lái)擴(kuò)展DTMOSVI（HSD）的產(chǎn)品線。新器件將采用TO-220和TO-220SIS通孔型封裝，以及TOLL和DFN 8í8表貼型封裝。首批采用TO-247封裝的兩款650V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品TK042N65Z5和TK095N65Z5，于今日開(kāi)始支持批量出貨。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://toshiba-semicon-storage.com/cn/company/news.html。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）