【產(chǎn)通社，1月9日訊】江蘇協(xié)昌電子科技股份有限公司（JIANGSU XIECHANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD；股票代碼：301418）消息，其近日收到由中華人民共和國(guó)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予的兩項(xiàng)發(fā)明專利證書，專利證書具體情況如下：

一種低功耗屏蔽柵型半導(dǎo)體功率器件及其制備方法
ZL201910376360.4
2019年05月07日
2023年12月19日
第6569557號(hào)
發(fā)明專利“一種低功耗屏蔽柵型半導(dǎo)體功率器件及其制備方法”涉及到一種半導(dǎo)體功率器件，尤其是一種具有低功耗屏蔽柵型半導(dǎo)體功率器件及其制備方法。本發(fā)明所解決的技術(shù)問題是：提供一種低功耗屏蔽柵型半導(dǎo)體功率器件，避免了柵氧層在多晶硅上的生長(zhǎng)步驟，提高了柵極氧化層的可靠性。且引入溝槽底部的浮置阱結(jié)構(gòu)，提高了器件的耐壓能力。

一種低柵極內(nèi)阻屏蔽柵溝槽MOSFET
ZL202310916422.2
2023年07月25日
2023年12月19日
第6569525號(hào)
發(fā)明專利“一種低柵極內(nèi)阻屏蔽柵溝槽MOSFET”涉及到一種屏蔽柵溝槽MOSFET，尤其涉及到一種低柵極內(nèi)阻屏蔽柵溝槽MOSFET。本發(fā)明所解決的技術(shù)問題是：提供一種通過對(duì)其溝槽中內(nèi)部結(jié)構(gòu)的改進(jìn)來降低柵極內(nèi)阻的低柵極內(nèi)阻屏蔽柵溝槽MOSFET。

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