【產(chǎn)通社，7月27日訊】Diodes公司（NASDAQ股票代碼：DIOD）官網(wǎng)消息，其DMWSH120H90SM4Q和DMWSH120H28SM4Q兩款符合汽車規(guī)格的碳化硅（SiC）MOSFET，進(jìn)一步強(qiáng)化寬能隙（Wide-Bandgap）產(chǎn)品陣容。此系列N信道MOSFET產(chǎn)品可滿足市場對SiC解決方案不斷增長的需求，提升電動與混合動力汽車（EV/HEV）車用子系統(tǒng)的效率及功率密度，例如電池充電器、車載充電器（OBC）、高效DC-DC轉(zhuǎn)換器、馬達(dá)驅(qū)動器及牽引變流器。


產(chǎn)品特點(diǎn)


DMWSH120H90SM4Q可在最高1200VDS范圍內(nèi)安全可靠地運(yùn)作，其閘極-源極（Gate-Source）電壓（Vgs）為+15/-4V，且在15Vgs時具有75mΩ（典型值）的RDS(ON)規(guī)格。此裝置適用于OBC、汽車馬達(dá)驅(qū)動器、EV/HEV中的DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池充電系統(tǒng)。

DMWSH120H28SM4Q可在最高1200VDS、+15/-4Vgs的條件下運(yùn)作，且在15Vgs時具有較低的20mΩ（典型值）RDS(ON)。此MOSFET適用于其他EV/HEV子系統(tǒng)中的馬達(dá)驅(qū)動器、EV牽引變流器及DC-DC轉(zhuǎn)換器。憑借低RDS(ON)的特性，在需要高功率密度的產(chǎn)品應(yīng)用中，此系列MOSFET能以較低的溫度運(yùn)作。

這兩款產(chǎn)品均有低導(dǎo)熱率（RθJC=0.6°C/W），DMWSH120H90SM4Q的汲極（Drain）電流高至40A，DMWSH120H28SM4Q的汲極電流高至100A。此系列也內(nèi)建快速且穩(wěn)健的本體二極管（Body Diodes），具有低反向復(fù)原電荷（Qrr），在DMWSH120H90SM4Q中為108.52nC，在DMWSH120H28SM4Q中為317.93nC，因此能夠執(zhí)行快速切換，同時降低功率損耗。

Diodes采用平面制造技術(shù)開發(fā)出全新MOSFET，能在汽車產(chǎn)品應(yīng)用中提供強(qiáng)大與可靠的效能，提高汲極電流、崩潰（Breakdown）電壓、接面溫度及功率環(huán)形電路，表現(xiàn)優(yōu)于先前發(fā)布的版本。


供貨與報(bào)價


此系列裝置采用 TO247-4（WH型）封裝，提供額外的凱氏感測（Kelvin-sensing）接腳�？蛇B接至源極以優(yōu)化切換效能，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。

DMWSH120H90SM4Q與DMWSH120 H28SM4Q均符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，由IATF 16949認(rèn)證的設(shè)施制造，并支持PPAP文件。查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.diodes.com。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）