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Nexperia MOSFET產(chǎn)品新增LFPAK56和LFPAK88封裝設(shè)計(jì)
2023/7/4 8:27:24     

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【產(chǎn)通社,7月4日訊】安世半導(dǎo)體(Nexperia)官網(wǎng)消息,其擴(kuò)充了NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝,而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設(shè)計(jì)。這些器件具備高效率和低尖峰特性,適用于通信、服務(wù)器、工業(yè)、開(kāi)關(guān)電源、快充、USB-PD和電機(jī)控制應(yīng)用。


產(chǎn)品特點(diǎn)


長(zhǎng)期以來(lái),品質(zhì)因數(shù)Qg*RDSon一直是半導(dǎo)體制造商提高M(jìn)OSFET開(kāi)關(guān)效率的重點(diǎn)。然而,一味地降低該品質(zhì)因數(shù)導(dǎo)致產(chǎn)生了意外后果,在打開(kāi)或關(guān)閉MOSFET時(shí)尖峰耐壓升高,從而使得產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)增加。確認(rèn)這一新問(wèn)題后,Nexperia立即開(kāi)始研究如何改善其他工藝技術(shù)參數(shù),以幫助解決此問(wèn)題。Nexperia的不懈努力最終促成了NextPower 80/100V MOSFET的發(fā)布。該器件的Qrr(反向恢復(fù)電荷)較低,因此可顯著降低開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換期間的尖峰值,同時(shí)表現(xiàn)出與競(jìng)品MOSFET相同的高效性能,且具有更低的EMI。 

通過(guò)為高效率、低尖峰的NextPower 80/100V MOSFET新增LFPAK56和LFPAK88封裝系列,Nexperia不僅可以幫助設(shè)計(jì)人員縮小應(yīng)用尺寸并體驗(yàn)到銅夾片封裝的超強(qiáng)可靠性,而且還為設(shè)計(jì)工程師和客戶(hù)提供了新的選擇,希望為現(xiàn)有設(shè)計(jì)提供額外的資源。 


供貨與報(bào)價(jià)


查詢(xún)進(jìn)一步信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.nexperia.cn/products/mosfets/family/NEXTPOWER-80-100V-MOSFETS/。(張怡,產(chǎn)通發(fā)布)    (完)
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