【產(chǎn)通社，6月1日訊】SK海力士（SK Hynix；KRX韓國證券交易所股票代碼：000660.KS）官網(wǎng)消息，其已完成現(xiàn)有DRAM中最為微細化的第五代10納米級（1b）技術(shù)研發(fā)，并將適用其技術(shù)的DDR5服務(wù)器DRAM提供于英特爾公司（Intel）開始了“英特爾數(shù)據(jù)中心存儲器認證程序（The Intel Data Center Certified memory program）”。

SK海力士向英特爾提供的DDR5 DRAM產(chǎn)品運行速度高達6.4Gbps，公司技術(shù)團隊實現(xiàn)了目前市面上DDR5 DRAM的最高速度。與DDR5 DRAM初期階段的試制品相比，數(shù)據(jù)處理速度提升了33%。

1DDR5 DRAM初期階段試制品的運行速度為4.8Gbps，JEDEC標(biāo)準中DDR5的最高運行速度為8.8Gbps。另外，公司在此次1b DDR5 DRAM上采用了“HKMG（High-K Metal Gate）”工藝，與1a DDR5 DRAM相比功耗減少了20%以上。

通過1b技術(shù)的研發(fā)成功，將可向全球客戶供應(yīng)高性能與高效能功耗比兼?zhèn)涞腄RAM產(chǎn)品。SK海力士DRAM開發(fā)擔(dān)當(dāng)副社長金鍾煥說道：“就如于公司在今年1月將第四代10納米級（1a）DDR5服務(wù)器DRAM適用到英特爾第四代至強可擴展處理器（4th Gen Intel Xeon Scalable processors），并在業(yè)界首次獲得認證，此次1b DDR5 DRAM產(chǎn)品驗證也會成功完成�！�

金副社長又說到：“有預(yù)測稱從今年下半年起存儲器市場狀況將得到改善，公司將以1b工藝量產(chǎn)等業(yè)界最高的DRAM競爭力水平加速改善今年下半年業(yè)績。又計劃在明年上半年將最先進的1b工藝擴大適用于LPDDR5T和HBM3E4產(chǎn)品�！�

英特爾公司存儲器I/O技術(shù)部門副總裁Dimitrios Ziakas表示：“英特爾公司為了DDR5 DRAM和英特爾平臺間的兼容性驗證，在與存儲器行業(yè)緊密合作。SK海力士的1b DDR5 DRAM將適用于英特爾的新一代至強?可擴展平臺，為此業(yè)界首次進行著英特爾數(shù)據(jù)中心存儲器認證程序�！�

SK海力士表示，為了將已完成一輪兼容性驗證的1a DDR5 DRAM適用于英特爾下一代至強?可擴展平臺的追加認證流程也正在同步進行中。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://news.skhynix.com.cn。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）