【產(chǎn)通社，5月10日訊】臺灣集成電路制造股份有限公司（TSMC；TWSE股票代碼：2330；NYSE股票代碼：TSM）官網(wǎng)消息，其于26日舉辦2023年北美技術論壇，揭示最新的技術發(fā)展，包括2納米技術進展及業(yè)界領先的3納米技術家族新成員，以提供廣泛的技術組合滿足客戶多樣化的需求，其中包括支援更佳功耗、效能與密度的強化版N3P制程、為高效能運算應用量身打造的N3X制程、以及支援車用客戶及早采用業(yè)界最先進制程技術的N3AE解決方案。

臺積公司總裁魏哲家博士表示：“我們的客戶從未停止尋找新方法，以利用芯片的力量為世界帶來令人驚嘆的創(chuàng)新，并創(chuàng)造更美好的未來。憑借著相同的精神，臺積公司也持續(xù)成長進步，加強并推進我們的制程技術，提高效能、功耗效率及功能性，協(xié)助客戶在未來持續(xù)釋放更多的創(chuàng)新。”

技術論壇主要的技術焦點包括：
更廣泛的3納米技術組合：N3P、N3X、以及N3AE – 隨著N3制程已進入量產(chǎn)，強化版N3E制程預計將于2023年量產(chǎn)，臺積公司推出更多3納米技術家族成員以滿足客戶多樣化的需求：
    N3P預計于2024年下半年進入量產(chǎn)，相較于N3E，在相同漏電下，速度增快5%；在相同速度下，功耗降低5-10%，芯片密度增加4%。
    N3X著重于效能與最大時脈頻率以支援高效能運算應用，相較于N3P，在驅(qū)動電壓1.2伏特下，速度增快5%，并擁有相同的芯片密度提升幅度，預計于2025年進入量產(chǎn)。
    N3AE將提供以N3E為基礎的汽車制程設計套件（PDK），預計于2023年推出，讓客戶能夠提早采用3納米技術來設計汽車應用產(chǎn)品，以便于2025年及時采用屆時已全面通過汽車制程驗證的N3A制程。

2納米技術開發(fā)進展良好 – 臺積公司2納米技術采用納米片晶體管架構(gòu)，在良率與元件效能上皆展現(xiàn)良好的進展，將如期于2025年量產(chǎn)。相較于N3E，在相同功耗下，速度最快將可增加至15%；在相同速度下，功耗最多可降低30%，同時芯片密度增加大于15%。

N4PRF推進CMOS射頻技術之極限 – 在2021年推出N6RF技術后，臺積公司進一步開發(fā)N4PRF，此為業(yè)界最先進的互補式金屬氧化物半導體（CMOS）射頻技術，以支援WiFi7射頻系統(tǒng)單晶片等數(shù)位密集型的射頻應用。相較于N6RF，N4PRF邏輯密度增加77%，且在相同速度下，功耗降低45%。

TSMC 3DFabric先進封裝及硅晶堆棧 – 臺積公司3DFabric系統(tǒng)整合技術之主要新發(fā)展包括：
    先進封裝 – 為了滿足高效能運算應用在單一封裝中置入更多處理器及存儲器的需求，臺積公司正在開發(fā)具有高達6個光罩尺寸（約5,000平方毫米）重布線層（RDL）中介層的CoWoS解決方案，能夠容納12個高頻寬存儲器堆棧。
    三維芯片堆棧 – 臺積公司宣布推出SoIC-P，作為系統(tǒng)整合芯片（SoIC）解決方案的微凸塊版本，提供具有成本效益的方式來進行3D芯片堆棧，SoIC-P加上目前的SoIC-X無凸塊解決方案，使得臺積公司的3D IC技術更臻完善。
    設計支援 – 臺積公司推出開放式標準設計語言的最新版本3Dblox 1.5，旨在降低三維集成電路（3D IC）的設計門檻。3Dblox 1.5增加了自動凸塊合成的功能，協(xié)助芯片設計人員處理具有數(shù)千個凸塊的復雜大型芯片，可縮短數(shù)個月的設計時程。

查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.tsmc.com。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）