【產(chǎn)通社，4月10日訊】聯(lián)華電子股份有限公司（United Microelectronics Corporation；NYSE股票代碼：UMC；TWSE股票代碼：2303）官網(wǎng)消息，力旺電子（eMemory）可變電阻式存儲(chǔ)器（RRAM）硅智財(cái)已通過(guò)聯(lián)電22納米超低功耗的可靠度驗(yàn)證，為聯(lián)電的AIoT與行動(dòng)通訊應(yīng)用平臺(tái)提供更多元的嵌入式存儲(chǔ)器解決方案，未來(lái)雙方也將持續(xù)合作開(kāi)發(fā)車用規(guī)格的RRAM。 

力旺電子提供的8Mb RRAM IP具有額外的16Kb信息儲(chǔ)存區(qū)塊和內(nèi)部修復(fù)與錯(cuò)誤偵測(cè)/修正等關(guān)鍵功能，可用于IoT設(shè)備中的微控制器和智慧電源管理IC的編碼儲(chǔ)存，還可以支援AI之存儲(chǔ)器內(nèi)運(yùn)算架構(gòu)。聯(lián)電提供22納米的0.8V/2.5V RRAM平臺(tái)，使用較少的光罩層數(shù)、較短的生產(chǎn)周期和更容易與BCD、高壓等特殊制程整合的優(yōu)勢(shì)。 

力旺電子技術(shù)長(zhǎng)暨第二事業(yè)群總經(jīng)理林慶源表示：“對(duì)40納米、22納米和高階制程而言，RRAM是不可或缺的多次編程嵌入式存儲(chǔ)器選項(xiàng)。力旺的下一個(gè)RRAM開(kāi)發(fā)目標(biāo)是對(duì)應(yīng)汽車應(yīng)用需求，在22納米0.8V/2.5V平臺(tái)實(shí)現(xiàn)更高的儲(chǔ)存密度（16Mb）、更快的速度、更高的寫入溫度耐受度和持續(xù)提升的覆寫能力。此外，我們繼續(xù)推進(jìn)在0.8V/1.8V ULP上的開(kāi)發(fā)。憑借其用于讀取和寫入模式的低工作電壓，力旺的RRAM將成為主流技術(shù)平臺(tái)上最具成本效益的eFlash解決方案，并可擴(kuò)展至更多制程節(jié)點(diǎn)�！� 

聯(lián)電技術(shù)開(kāi)發(fā)部副總經(jīng)理徐世杰表示：“隨著AIoT應(yīng)用不斷地拓展，市場(chǎng)對(duì)低功耗非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的需求逐漸增加。力旺電子的IP成功的在聯(lián)電22納米R(shí)RAM平臺(tái)完成驗(yàn)證，為客戶在開(kāi)發(fā)下一代產(chǎn)品時(shí)提供更強(qiáng)大的存儲(chǔ)器解決方案。聯(lián)電致力于提供多元和差異化的特殊制程技術(shù)，我們很高興與力旺電子合作，持續(xù)強(qiáng)化AIoT與車用市場(chǎng)的嵌入式存儲(chǔ)器方案�！� 

力旺電子的RRAM IP具有一萬(wàn)次覆寫能力和長(zhǎng)達(dá)10年的數(shù)據(jù)保留，并可承受高達(dá)105度的高溫。為了方便用戶，這款RRAM IP設(shè)計(jì)具備友善的界面、完整的使用者模式和測(cè)試模式，并可在0.8V/2.5V標(biāo)稱雙電壓接口下進(jìn)行編程。RRAM不需對(duì)前端制程做額外調(diào)整，并采用低溫后端制程，幾乎不會(huì)產(chǎn)生額外的熱預(yù)算，因此備受市場(chǎng)期待。與分離閘快閃存儲(chǔ)器（split-gate Flash）相比，RRAM具有相對(duì)簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)、使用較少層的光罩、較友善的制程和更高的CMOS制程兼容性。在對(duì)性能要求相對(duì)嚴(yán)格的汽車應(yīng)用中，RRAM與MRAM相比，具有更佳的抗磁能力。

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