【產(chǎn)通社，5月23日訊】富士通微電子（Fujitsu Microelectronics）網(wǎng)站消息，其新型消費(fèi)類FCRAM存儲(chǔ)器芯片——512Mb（MB81EDS516545）和256Mb（MB81EDS256545）支持DDR SDRAM接口，是業(yè)界首推的將工作溫度范圍擴(kuò)大至125°C的芯片。

使用新型額定為125°C的FCRAM，即使整合一顆高功耗的SoC，SiP也能運(yùn)行良好，無需添加散熱器。這就解決了使用額定為95 °C的傳統(tǒng)存儲(chǔ)器而需要采取散熱措施而引發(fā)的成本增加問題。而且，即使在125°C的環(huán)境下運(yùn)行，這些新型FCRAM產(chǎn)品也可以提供傳統(tǒng)DDR SDRAM存儲(chǔ)器兩倍的數(shù)據(jù)傳輸率，同時(shí)還能保持低功耗。事實(shí)上，與傳統(tǒng)的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器相比，新型512Mb FCRAM能降低功耗達(dá)50%。所以，這些新型FCRAM可以減少消費(fèi)類電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)器的二氧化碳排放達(dá)50%。

富士通微電子目前開始提供這兩款新型FCRAM產(chǎn)品。查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問http://www.fujitsu.com/cn/fmc/news/archives/2009/0522.html。