【產(chǎn)通社，9月16日訊】聯(lián)華電子股份有限公司（United Microelectronics Corporation；NYSE股票代碼：UMC；TWSE股票代碼：2303）官網(wǎng)消息，其與Avalanche Technology推出高可靠度的持續(xù)性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Persistent Static Random Access Memory, P-SRAM）。這個(gè)備受期待的第三代產(chǎn)品平臺(tái)建構(gòu)于Avalanche Technology最新一代自旋轉(zhuǎn)移矩磁性存儲(chǔ)器（Spin-Transfer-Torque MRAM, STT-MRAM）技術(shù)以及聯(lián)華電子的22納米制程，相較于現(xiàn)有的非揮發(fā)性解決方案，更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的優(yōu)勢(shì)。

Avalanche Technology營(yíng)銷與商務(wù)發(fā)展副總經(jīng)理Danny Sabour表示，此次新產(chǎn)品的推出，真正實(shí)現(xiàn)了市場(chǎng)對(duì)高耐用性、高可靠性和高密度的各項(xiàng)應(yīng)用需求，且無(wú)需外部電池、錯(cuò)誤修正代碼（Error-Correcting Code, ECC）或耗損平均技術(shù)。有鑒于現(xiàn)今無(wú)所不在的感測(cè)裝置以及日益升高的資料處理需求推升對(duì)耐磨損、高持久性存儲(chǔ)器的需要，我們將很快啟動(dòng)進(jìn)一步提高16Gb單晶片解決方案的開發(fā)工作。 

聯(lián)華電子前瞻發(fā)展辦公室暨研究發(fā)展副總經(jīng)理洪圭鈞表示，我們很高興與Avalanche Technology這樣的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商合作，將此獨(dú)立的存儲(chǔ)器解決方案投入生產(chǎn)，這是一個(gè)重要的里程碑，有助于將堅(jiān)實(shí)且高度可擴(kuò)展的MRAM解決方案商業(yè)化。聯(lián)電憑借著多元的晶圓專工技術(shù)和卓越的制造能力，并透過此次與Avalanche Technology的合作，將滿足市場(chǎng)對(duì)持久性存儲(chǔ)器不斷提升的需求。

Avalanche Technology首席技術(shù)長(zhǎng)兼技術(shù)與晶圓專工業(yè)務(wù)副總經(jīng)理懷一鳴表示，自2006年起，Avalanche Technology持續(xù)專注于開發(fā)創(chuàng)新垂直式磁穿隧接面（perpendicular Magnetic Tunnel Junction, pMTJ）結(jié)構(gòu)的STT-MRAM技術(shù)。我們以領(lǐng)先業(yè)界的pMTJ和CMOS設(shè)計(jì)為基礎(chǔ)，透過我們的合作伙伴聯(lián)華電子，讓最先進(jìn)的高密度和高性能STT-MRAM產(chǎn)品得以問世。


產(chǎn)品特點(diǎn)


Parallel x 32系列作為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品提供各種密度選項(xiàng)，并具有異步SRAM兼容讀/寫時(shí)序。其數(shù)據(jù)始終是非揮發(fā)性的，并具備領(lǐng)先業(yè)界的 >1014次寫入周期耐久性和1,000年保存期（在85°C下）。兩種密度選項(xiàng)均采用小尺寸142-ball FBGA（15mm x 17mm）封裝。這些裝置都經(jīng)由JEDEC認(rèn)證流程確保寬廣的（-40°C至125°C）工作溫度范圍，每項(xiàng)裝置在交付給客戶前并都經(jīng)過48小時(shí)的老化測(cè)試。其他額外認(rèn)證選項(xiàng)亦提供給合作伙伴選擇。


供貨與報(bào)價(jià)


查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.umc.com，以及http://www.avalanche-technology.com/products/discrete-mram/space/。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）