【產(chǎn)通社，7月28日訊】安世半導體（Nexperia）官網(wǎng)消息，其PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續(xù)航運行至關重要的情況下，可使電力更為持久。


產(chǎn)品特點


新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。

RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開關和電池管理效率。其卓越的性能還表現(xiàn)在自發(fā)熱降低，從而增強可穿戴設備的用戶舒適度。

具體而言，在VGS =4.5V時，PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分別為50mΩ和55mΩ。因此，在市場上類似的30V MOSFET中，PMCB60XN和PMCB60XNE單個芯片面積導通電阻最低。此外，PMCB60XNE在集成于1.0×0.6×0.2mm的DSN1006小型外形中，還可提供額定2kV ESD保護（人體模型 – HBM）。這兩款MOSFET的額定漏極電流最高均可達4A。

除了采用DSN1006封裝的這兩款MOSFET外，Nexperia還推出了一款采用DSN1010封裝的12V N溝道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS = 4.5V時的最大RDS(on)為16mΩ，在0.96×0.96×0.24mm（SOT8007）尺寸下可具備市場領先的效率。


供貨與報價


30V PMCB60XN和PMCB60XNE以及12V PMCA14UN現(xiàn)已供貨，可從Nexperia獲得。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.nexperia.com/mosfets。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）