【產(chǎn)通社，4月24日訊】飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)消息，其業(yè)界最低RDS(ON)的20V 2mm x 2mm x 0.55mm薄型MicroFET MOSFET器件——FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝，能夠滿足便攜設(shè)計的嚴(yán)苛要求，采用延長電池壽命的技術(shù)，實現(xiàn)更薄、更小的應(yīng)用。
FDMA6023PZT采用超薄的微型引線框架的MicroFET封裝，相比傳統(tǒng)的MOSFET，它具有出色的熱阻，能提供超卓的功率耗散，并可減少傳導(dǎo)損耗。該器件采用飛兆半導(dǎo)體性能先進的PowerTrench MOSFET工藝技術(shù)，獲得極低的RDS(ON)值、柵級電荷(QG)和米勒電荷(QGD) — 這些都顯箸減少傳導(dǎo)損耗和提升開關(guān)性能。
FDMA6023PZT是飛兆半導(dǎo)體全面的MicroFET MOSFET產(chǎn)品系列的一員，在應(yīng)對當(dāng)今功能豐富之便攜應(yīng)用的功率設(shè)計挑戰(zhàn)方面起著關(guān)鍵的作用，該產(chǎn)品系列包括20V P溝道PowerTrench MOSFET器件FDMA1027PT，以及帶有肖特基二極管的20V P溝道PowerTrench MOSFET器件FDFMA2P853T。與常用于低壓設(shè)計的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET器件相比，這些產(chǎn)品的面積減小了55% 而高度則降低達50%。
FDMA6023PZT現(xiàn)提供樣品，訂購1000個時單價為0.48美元，交貨期為收到訂單后8至10周內(nèi)。查詢進一步信息，請訪問http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMA6023PZT.pdf。（雋科公關(guān)有限公司）
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