【產(chǎn)通社，6月5日訊】中微半導(dǎo)體（深圳）股份有限公司（China Micro Semicon）官網(wǎng)消息，其全新CSP封裝MOSFET器件主要針對(duì)單節(jié)鋰電池保護(hù)應(yīng)用開發(fā)設(shè)計(jì)，適用于手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備等，滿足鋰電池高可靠與高耐受要求。


產(chǎn)品特點(diǎn)


全新CSP封裝MOSFET產(chǎn)品是中微半導(dǎo)獨(dú)有專利芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，綜合性能遠(yuǎn)超傳統(tǒng)Trench VDMOS，擁有體積小、散熱性好、電性連接寄生參數(shù)小等特點(diǎn)，12V系列產(chǎn)品內(nèi)阻1.8-10mΩ多種等級(jí)，滿足常見單節(jié)鋰電池充放電管理需求。

除優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)降低產(chǎn)品的導(dǎo)通內(nèi)阻之外，中微半導(dǎo)深入研究CSP系列產(chǎn)品在各種惡劣環(huán)境中的應(yīng)用。對(duì)于鋰電保護(hù)系統(tǒng)在開關(guān)過程中由于回路中電感的存在，極端情況下可能出現(xiàn)的器件過電壓應(yīng)力問題，以及防止電池產(chǎn)品接口誤操作導(dǎo)致的系統(tǒng)過電流異常等問題，中微半導(dǎo)CSP系列產(chǎn)品均有針對(duì)性的器件設(shè)計(jì)與檢測，其雪崩耐壓能力、短路耐受能力及驅(qū)動(dòng)級(jí)信號(hào)可控性，經(jīng)過重復(fù)測試與驗(yàn)證，可大大降低異常情況下器件失效率概率。

針對(duì)芯片在組裝加工過程中易受外界機(jī)械應(yīng)力影響出現(xiàn)暗裂甚至破碎的情況，中微半導(dǎo)自主研發(fā)小型化CSP封裝產(chǎn)品進(jìn)行基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)優(yōu)化，芯片厚度較傳統(tǒng)產(chǎn)品的約100um提升到300um，大幅提升耐受機(jī)械壓力。主要特點(diǎn)包括：
- 支持充放電電流從1A-5A應(yīng)用，器件溫升低于20℃；
- 提升CSP器件機(jī)械應(yīng)力的承受能力，降低生產(chǎn)要求；
- 耐受的機(jī)械壓力>60N，較傳統(tǒng)產(chǎn)品提升200%；
- 降低器件發(fā)熱，保障電池續(xù)航與可靠性；
- 多次重復(fù)測試，驗(yàn)證短路時(shí)耐受能力。


供貨與報(bào)價(jià)


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