【產(chǎn)通社，4月25日訊】東芯半導(dǎo)體股份有限公司（Dosilicon Co., Ltd.；股票代碼：688110）2021年年度報告顯示，其在NAND、NOR、DRAM等存儲芯片的設(shè)計核心環(huán)節(jié)都擁有了自主研發(fā)能力與核心技術(shù)。報告期內(nèi)，公司申請專利2項（其中發(fā)明專利2項），公司獲得專利授權(quán)3項（其中發(fā)明專利3項）；申請集成電路布圖設(shè)計權(quán)26項，獲得集成電路布圖設(shè)計權(quán)14項；申請注冊商標(biāo)3項，獲得注冊商標(biāo)1項。截至報告期末，公司擁有境內(nèi)外有效專利78項、軟件著作權(quán)13項、集成電路布圖設(shè)計權(quán)48項、注冊商標(biāo)9項。

截至報告期末，公司累計申請境內(nèi)外專利87項，獲得專利授權(quán)69項，專利涉及NAND、NOR、DRAM等存儲芯片的設(shè)計核心環(huán)節(jié)，公司技術(shù)實力不斷提升。

查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.dosilicon.com。（Donna Zhang，張底剪報）    （完）