【產(chǎn)通社，4月21日訊】湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司（R&D Electronics；股票代碼：300046）2021年年度報(bào)告顯示，其主營大功率晶閘管、整流管、IGBT、電力半導(dǎo)體模塊、固態(tài)脈沖功率開關(guān)等功率半導(dǎo)體器件，報(bào)告期實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入32,900.91萬元，同比下降15.26%；利潤總額4,976.76萬元，同比增長59.04%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤4,408.78萬元，同比增長36.73%；基本每股收益0.1911元，同比增長26.31%；加權(quán)平均凈資產(chǎn)收益率4.79%，同比下降0.36個(gè)百分點(diǎn)。

報(bào)告期，公司銷售各類功率半導(dǎo)體器件231.70萬只（包括晶閘管、模塊、芯片、組件、散熱器等），同比增長23.91%，其中晶閘管銷售69.75萬只，同比增長9.36%；模塊銷售120.09萬只，同比增長57.12%，晶閘管和模塊產(chǎn)品總產(chǎn)銷量創(chuàng)近年新高。

公司通過技術(shù)創(chuàng)新，積累了完整的具有自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造技術(shù)，掌握完整的前道（晶圓制程）技術(shù)、中道（芯片制程）技術(shù)、后道（封裝測(cè)試）技術(shù)。公司擁有52項(xiàng)專利技術(shù)（其中9項(xiàng)發(fā)明專利）和多項(xiàng)專有技術(shù)，主持和參與起草國家或行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)21項(xiàng)。公司建有3個(gè)省級(jí)科研平臺(tái)，積極開展產(chǎn)學(xué)研合作，持續(xù)跟蹤SiC、GaN等第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用。公司大功率IGBT已經(jīng)量產(chǎn)，具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的大功率半導(dǎo)體脈沖開關(guān)技術(shù)達(dá)到國際領(lǐng)先水平，在國內(nèi)重大前沿科技項(xiàng)目得到應(yīng)用，呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢(shì)。

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