【產(chǎn)通社，4月19日訊】上海芯導(dǎo)電子科技有限公司（Shanghai Prisemi Electronics；股票代碼：688230）2021年年度報告顯示，其核心技術(shù)均來自自主研發(fā)，經(jīng)過多年的技術(shù)積累和持續(xù)創(chuàng)新，在功率器件和功率IC工藝設(shè)計方面積累了多項核心技術(shù)。

在功率器件方面：公司的一種降低芯片反向漏電流的技術(shù)實現(xiàn)了TVS、肖特基、穩(wěn)壓管等產(chǎn)品的低漏電和高溫下的可靠性，使產(chǎn)品在應(yīng)用過程中更加安全和穩(wěn)定；深槽隔離及穿通型NPN結(jié)構(gòu)技術(shù)實現(xiàn)了TVS產(chǎn)品的高瞬態(tài)泄放電流、低鉗位電壓的特性，同時實現(xiàn)了產(chǎn)品封裝的小型化，不但使產(chǎn)品在應(yīng)用中減少了空間的占用，同時提升了浪涌防護(hù)能力，對產(chǎn)品的保護(hù)效果更加優(yōu)異。

MOSFET的溝槽優(yōu)化技術(shù)實現(xiàn)了MOSFET產(chǎn)品的低導(dǎo)通阻抗、低損耗特性，使產(chǎn)品在應(yīng)用中大幅降低了功耗，減少了發(fā)熱；溝槽MOS型肖特基勢壘二極管的改進(jìn)技術(shù)實現(xiàn)了肖特基產(chǎn)品低正向?qū)▔航怠⒌蛽p耗的特性，在使用過程中降低了產(chǎn)品功耗。

在功率IC方面，可連續(xù)調(diào)節(jié)占空比的環(huán)路控制技術(shù)以使功率IC產(chǎn)品更快速響應(yīng)負(fù)載變化，可調(diào)輸出電壓范圍更大；一種復(fù)合DC-DC電路技術(shù)不需要額外補償電路，可以使功率IC產(chǎn)品具有負(fù)載響應(yīng)快、精度高的優(yōu)點；一種負(fù)載識別電路技術(shù)不需要額外的采集裝置，即可完成負(fù)載大小的識別，實現(xiàn)簡單且高效。
此外，公司新增加的核心技術(shù)一種GaN HEMT器件制備技術(shù)，優(yōu)化了終端結(jié)構(gòu)，降低工藝開發(fā)過程引入的漏電風(fēng)險，同時優(yōu)化了終端結(jié)構(gòu)，使得我司GaN HEMT產(chǎn)品具有芯片良率高、可靠性良好的特性。

截至2021年12月31日，公司現(xiàn)行有效專利累計40項，其中發(fā)明專利16項，另有集成電路布圖設(shè)計專有權(quán)40項，商標(biāo)5項。其中，2021年度獲得新增授權(quán)專利13項，新增集成電路布圖設(shè)計5項。

查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.prisemi.com。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）