【產(chǎn)通社，3月9日訊】東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）消息，其在DTMOSVI系列新一代650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET中推出四款新產(chǎn)品——TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z，它們適用于數(shù)據(jù)中心、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備的開(kāi)關(guān)電源。


產(chǎn)品特點(diǎn)


產(chǎn)品線(xiàn)擴(kuò)展了器件的封裝、漏源導(dǎo)通電阻和柵漏電荷。與上一代DTMOSIV-H系列相比，新一代DTMOSVI系列“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷”的品質(zhì)因數(shù)降低約40%，關(guān)電源效率提高約0.36%。


供貨與報(bào)價(jià)


直插式TO-220封裝。查詢(xún)進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）