【產(chǎn)通社，12月18日訊】安森美公司（ON Semiconductor Corporation；NASDAQ股票代碼：ON）官網(wǎng)消息，其新的600V SUPERFET?V MOSFET系列使電源能滿足嚴(yán)苛的能效規(guī)定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰(zhàn)性的10%負(fù)載條件下。600V SUPERFET系列下的三個(gè)產(chǎn)品組--FAST、Easy Drive和FRFET經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可在各種不同的應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中提供領(lǐng)先同類的性能。


安森美先進(jìn)電源分部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Asif Jakwani說(shuō)：“80 Plus Titanium認(rèn)證以應(yīng)對(duì)氣候變化為目標(biāo)，要求服務(wù)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)硬件在10%負(fù)載條件下的電源能效水平達(dá)90%，在處理50%負(fù)載時(shí)的能效達(dá)96%。我們的SUPERFET V系列的FAST、Easy Drive和FRFET版本正在滿足這些要求，提供強(qiáng)固的方案，確保持續(xù)的系統(tǒng)可靠性�！�


產(chǎn)品特點(diǎn)


600V SUPERFET V系列提供出色的開(kāi)關(guān)特性和較低的門(mén)極噪聲，從而降低電磁干擾（EMI）--這對(duì)服務(wù)器和 電信系統(tǒng)是個(gè)顯著的好處。此外，強(qiáng)固的體二極管和較高的VGSS（DC+/-30V）增強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性。

FAST版本在硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（如高端PFC）中提供極高能效，并經(jīng)過(guò)優(yōu)化以提供更低的門(mén)極電荷（Qg）和EOSS損耗，實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)。該版本的最初器件包括 NTNL041N60S5H（41mΩ RDS（on））和NTHL185N60S5H（185mΩ RDS（on）），都采用TO-247封裝。NTP185N60S5H則采用TO-220封裝，NTMT185N60S5H采用8.0×8.0×1.0mm的Power88封裝，保證達(dá)到濕度敏感等級(jí)MSL 1，并具有開(kāi)爾文（Kelvin）源架構(gòu)以改善門(mén)極噪聲和開(kāi)關(guān)損耗。

Easy Drive版本適用于硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包含一個(gè)內(nèi)置門(mén)極電阻（Rg）及經(jīng)優(yōu)化的內(nèi)置電容。它們適用于許多應(yīng)用中的一般用途，包括PFC和LLC。在這些器件中，門(mén)極和源極之間的內(nèi)置齊納二極管的RDS（on）超過(guò)120mΩ，對(duì)門(mén)極氧化物的應(yīng)力更小，ESD耐用性更高，從而提高封裝產(chǎn)量，降低不良率。目前供應(yīng)的兩款器件NTHL099N60S5和NTHL120N60S5Z的RDS（on）為99mΩ和120mΩ，均采用TO-247封裝。


供貨與報(bào)價(jià)


快速恢復(fù)（FRFET）版本適用于軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如移相全橋（PSFB）和LLC。它們的優(yōu)勢(shì)是快速體二極管，并提供降低的Qrr和Trr。強(qiáng)固的二極管耐用性確保更高的系統(tǒng)可靠性。內(nèi)置齊納二極管的 NTP125N60S5FZ的RDS（on）為125mΩ，采用TO-220封裝，而NTMT061N60S5F的RDS（on）為61mΩ，采用Power88封裝。損耗最低的器件是NTHL019N60S5F，RDS（on）僅19mΩ，采用TO-247封裝。

查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.onsemi.cn。（Donna Zhang，張底剪報(bào)）    （完）