【產(chǎn)通社，12月5日訊】中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc.；股票代碼：688012）官網(wǎng)消息，其于2021年11月02日迎來(lái)了一個(gè)重要的里程碑：中微公司的電容耦合高能等離子體（CCP）刻蝕設(shè)備第1500個(gè)反應(yīng)臺(tái)順利付運(yùn)國(guó)內(nèi)一家領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商。本次交付的Primo D-RIE刻蝕設(shè)備反應(yīng)臺(tái)來(lái)自該客戶的重復(fù)訂單。

Primo D-RIE刻蝕設(shè)備被全球領(lǐng)先的芯片制造商用于制造存儲(chǔ)和邏輯器件�？蛻舴浅？粗卦撛O(shè)備在大規(guī)模生產(chǎn)中穩(wěn)定可靠的性能表現(xiàn)、顯著提升的生產(chǎn)率和相對(duì)較低的生產(chǎn)成本方面的優(yōu)勢(shì)。為優(yōu)化產(chǎn)量而設(shè)計(jì)，Primo D-RIE可以配置多達(dá)三個(gè)雙反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)腔，每個(gè)反應(yīng)腔既可以獨(dú)立操作，又可以同時(shí)加工兩片晶圓。此外，該設(shè)備的突出特點(diǎn)還包括：中微公司具有獨(dú)立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的甚高頻和低頻混合射頻去耦合反應(yīng)等離子體源、等離子體隔離環(huán)、用于控制腔體內(nèi)反應(yīng)環(huán)境的先進(jìn)工藝組件。

自2007年P(guān)rimo D-RIE發(fā)布以來(lái)，中微公司陸續(xù)拓展了CCP刻蝕設(shè)備產(chǎn)品線，以滿足客戶日益嚴(yán)苛的技術(shù)需求。除Primo D-RIE雙反應(yīng)臺(tái)刻蝕設(shè)備以外，CCP刻蝕設(shè)備系列還包括雙反應(yīng)臺(tái)刻蝕設(shè)備Primo AD-RIE、單反應(yīng)臺(tái)刻蝕設(shè)備Primo SSC AD-RIE、Primo HD-RIE和刻蝕及除膠一體化的Primo iDEA。

這些產(chǎn)品為客戶提供了全面綜合的設(shè)備解決方案，用于5納米及以下工藝的多種應(yīng)用。中微公司的刻蝕設(shè)備產(chǎn)品線還包括其他兩款電感耦合低能等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備和硅通孔（TSV）刻蝕設(shè)備。

查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.amec-inc.com。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）