【產(chǎn)通社，11月23日訊】中科院蘇州納米所（Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics; SINANO）官網(wǎng)消息，氮化鎵（GaN）器件具有更高耐壓，更快的開關(guān)頻率，更小導(dǎo)通電阻等諸多優(yōu)異的特性，在功率電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景：從低功率段的消費電子領(lǐng)域，到中功率段的汽車電子領(lǐng)域，以及高功率段的工業(yè)電子領(lǐng)域。相比于橫向器件，GaN縱向功率器件能提供更高的功率密度、更好的動態(tài)特性、更佳的熱管理及更高的晶圓利用率，近些年已取得了重要的進(jìn)展。而大尺寸、低成本的硅襯底GaN縱向功率器件更是吸引了國內(nèi)外眾多科研團隊的目光。 

蘇州納米所孫錢研究團隊在讀博士研究生郭小路及其他團隊成員合作攻關(guān)，經(jīng)過近三年時間的不懈努力，先后在高質(zhì)量異質(zhì)外延材料生長及摻雜精確調(diào)控、器件關(guān)態(tài)電子輸運機制及高壓擊穿機制、高性能離子注入保護(hù)環(huán)的終端開發(fā)等核心技術(shù)上取得突破，該系列研究工作先后發(fā)表于電子器件領(lǐng)域國際專業(yè)學(xué)術(shù)期刊IEEE Electron Device Letters, vol. 42, no. 4, pp. 473-476, Apr 2021. Applied Physics Letters, vol. 118, no. 24, 2021, Art. no. 243501. IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 68, no. 11, pp. 5682-5686, 2021。 

團隊成功研制出的高性能硅襯底GaN基垂直肖特基二極管，具有優(yōu)異的正向?qū)ㄐ阅埽≧on=1.0mΩ·cm2），開關(guān)比高達(dá)1011，理想因子低至1.06，正向輸出電流1660A/cm2。器件的關(guān)態(tài)耐壓達(dá)603V，器件的Baliga優(yōu)值（衡量器件正反向電學(xué)性能的綜合指標(biāo)）為0.26GW/cm2。器件在175oC的高溫及380V反向偏壓下，開關(guān)性能仍未發(fā)生失效，綜合實現(xiàn)了耐高溫、耐高壓等優(yōu)異特性。硅襯底GaN基縱向功率二極管器件性能目前處于國際前列。 

上述系列工作的主要作者為中科院蘇州納米所在讀博士研究生郭小路，團隊特別研究助理鐘耀宗博士和已畢業(yè)博士生何俊蕾等為相關(guān)工作作出了重要貢獻(xiàn)，通訊作者為孫錢研究員和周宇副研究員。上述工作得到了國家自然科學(xué)重點基金項目、國家重點研發(fā)計劃課題、中國科學(xué)院重點前沿科學(xué)研究計劃、江蘇省重點研發(fā)計劃項目等資助。 

查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.sinano.cas.cn。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）