【產(chǎn)通社，10月31日訊】中國(guó)科學(xué)院（Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，以石墨烯為代表的碳基二維材料自發(fā)現(xiàn)以來(lái)受到了廣泛關(guān)注。然而，石墨烯的零帶隙半導(dǎo)體性質(zhì)嚴(yán)重限制了其在微電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用。針對(duì)該情況，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究人員等自2013年開(kāi)展新型碳基二維半導(dǎo)體材料的制備研究，2014年1月成功制備了由碳和氮原子構(gòu)成的類(lèi)石墨烯蜂窩狀無(wú)孔有序結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體C3N單層材料，并發(fā)現(xiàn)該材料在電子注入后產(chǎn)生的鐵磁長(zhǎng)程序。C3N的成功合成彌補(bǔ)了石墨烯無(wú)帶隙的缺憾，為碳基納米材料在微電子器件的應(yīng)用提供了新的選擇，并引起廣泛關(guān)注。然而，相比于目前研究已經(jīng)比較成熟的石墨烯，C3N的研究起步較晚，該材料的基本物性研究仍有大量空白有待填補(bǔ)。 

研究人員于2016年初步實(shí)現(xiàn)AA'及AB'堆垛雙層C3N的制備。在此基礎(chǔ)上，他們與華東師范大學(xué)研究員袁清紅團(tuán)隊(duì)通過(guò)近5年努力，借助實(shí)驗(yàn)技術(shù)與理論研究，在雙層C3N的帶隙性質(zhì)、輸運(yùn)性質(zhì)等研究領(lǐng)域取得突破，進(jìn)一步證明雙層C3N在納米電子學(xué)等領(lǐng)域的重要應(yīng)用潛力。 

該工作證明了通過(guò)控制堆垛方式實(shí)現(xiàn)雙層C3N從半導(dǎo)體到金屬性轉(zhuǎn)變的可行性。與本征帶隙為1.23eV的單層C3N相比，雙層C3N的帶隙大致可以分為三種：接近金屬性的AA和AA'堆垛、帶隙比單層減少將近30%的AB和AB'堆垛、與單層帶隙相近的雙層摩爾堆垛。上述帶隙變化可歸因于頂層與底層C3N間pz軌道耦合下費(fèi)米能級(jí)附近能帶的劈裂。在雙層之間相互作用勢(shì)接近的前提下，價(jià)帶頂和導(dǎo)帶底波函數(shù)重疊的數(shù)目決定了能帶劈裂程度，進(jìn)而影響帶隙。其中AA、AA'、AB 、AB'等雙層C3N中，兩層波函數(shù)重疊的數(shù)目存在兩倍關(guān)系，帶隙劈裂值為近似兩倍關(guān)系。而對(duì)于雙層摩爾旋轉(zhuǎn)條紋結(jié)構(gòu)，上下層原子基本錯(cuò)開(kāi)，pz軌道的重疊有限，因此其帶隙與單層C3N接近。 

更重要的是，研究還發(fā)現(xiàn)通過(guò)施加外部電場(chǎng)可實(shí)現(xiàn)AB'堆垛雙層C3N帶隙的調(diào)制。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在1.4Vnm-1的外加電場(chǎng)下，AB'堆垛的雙層C3N的帶隙下降約0.6eV，可實(shí)現(xiàn)從半導(dǎo)體到金屬性的轉(zhuǎn)變。 

上述工作是C3N材料實(shí)驗(yàn)與理論研究的重要突破，為進(jìn)一步構(gòu)建新型全碳微電子器件提供了支撐。相關(guān)研究成果以Stacking-Induced Bandgap Engineering of 2D-Bilayer C3N為題在線發(fā)表在Nature Electronics上。相關(guān)工作得到國(guó)家自然科學(xué)基金、上海微系統(tǒng)所新微之星項(xiàng)目等的支持。 

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