【產(chǎn)通社，10月22日訊】意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；NYSE股票代碼：STM）官網(wǎng)消息，其STGAP2SiCSN是為控制碳化硅MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，具有穩(wěn)健的性能和精確的PWM控制。SiC功率技術(shù)被廣泛用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，SiC驅(qū)動器STGAP2SiCSN可以簡化節(jié)能型電源系統(tǒng)、驅(qū)動和控制電路的設(shè)計，節(jié)省空間，并增強穩(wěn)健性和可靠性。目標(biāo)應(yīng)用包括電動汽車充電系統(tǒng)、開關(guān)式電源、高壓功率因數(shù)校正器（PFC）、DC/DC變換器、不間斷電源（UPS）、太陽能發(fā)電、電機驅(qū)動設(shè)備、風(fēng)扇、工廠自動化、家用電器、電磁爐。


產(chǎn)品特點


STGAP2SiCSN在柵極驅(qū)動通道和低壓控制之間有電流隔離，在高壓軌上可以耐受高達(dá)1700V的電壓。輸入到輸出傳播時間小于75ns，確保PWM控制精度高。±100V/ns共模瞬變抗擾度（CMTI）保證開關(guān)可靠性。內(nèi)置保護(hù)功能包括欠壓鎖定和熱關(guān)斷，欠壓鎖定（UVLO）通過閾值電壓防止SiC電源開關(guān)在低能效或不安全條件下工作。在檢測到結(jié)溫過高后，熱關(guān)斷降低驅(qū)動器的兩個輸出。

新產(chǎn)品提供兩種配置選擇，獨立多輸出配置可以使用外部電阻單獨優(yōu)化導(dǎo)通和關(guān)斷時間，而單輸出配置具有源米勒鉗位功能，可以增強高頻硬開關(guān)應(yīng)用的穩(wěn)健性，利用米勒鉗位防止功率開關(guān)過度振蕩。

STGAP2SiCSN邏輯輸入兼容低達(dá)3.3V的TTL和CMOS邏輯信號，簡化了與主微控制器或DSP處理器的連接。在高達(dá)26V的柵極驅(qū)動電壓下，驅(qū)動器的最大吸電流和拉電流均為4A。片上集成的自舉二極管簡化了設(shè)計并提高了可靠性，關(guān)斷模式有獨立輸入引腳，有助于大限度地降低系統(tǒng)功耗。


供貨與報價


STGAP2SiCSNTR現(xiàn)已上市，采用5×4mm寬體SO-8N封裝。查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.st.com/stdrive。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）     （完）