【產(chǎn)通社，2月14日訊】海力士-恒憶半導(dǎo)體（hynix-numonyx）網(wǎng)站消息，海力士采用44納米制程技術(shù)，全球率先開發(fā)出1Gb DDR3 DRAMm，同時(shí)確保了2133Mmbps的業(yè)界最快的制動(dòng)速度。

產(chǎn)品符合美國(guó)Intel規(guī)格要求，具有良好的互換性，Intel計(jì)劃不久后將對(duì)其進(jìn)行試驗(yàn)，用于模塊產(chǎn)品的認(rèn)證。此次開發(fā)的1Gb DDR3 DRAMm采用44納米制程技術(shù)，與目前應(yīng)用于批量生產(chǎn)的54納米制程技術(shù)相比，效率提高了50%以上，以“3D晶體管技術(shù)”控制漏電，使得耗電最小化，同時(shí)確保了業(yè)界最快的制動(dòng)速度。該產(chǎn)品所支持的最快速度為2133Mmbps，預(yù)計(jì)將成為今后新一代DDR3的標(biāo)準(zhǔn)速度，同時(shí)該產(chǎn)品還具有支持各種電壓的特點(diǎn)。采用44納米制程技術(shù)的DDR3產(chǎn)品計(jì)劃于今年第三季度投入批量生產(chǎn)，2010年開始大規(guī)模批量生產(chǎn)各種容量的DDR3產(chǎn)品。另外還計(jì)劃強(qiáng)化DDR3產(chǎn)品的制動(dòng)快與耗電低的特點(diǎn)，將之?dāng)U大應(yīng)用于大容量記憶體模塊、移動(dòng)DRAMm、圖像DRAMm。

大部分DRAMm制造廠商都將新一代DRAMm作為2010年以后的開發(fā)目標(biāo)，40納米制程作為其制造工程技術(shù)，有望主要應(yīng)用在2009年下半年及以后市場(chǎng)的主打產(chǎn)品DDR3上。

另一方面，海力士以40納米級(jí)制程率先開發(fā)出DDR3產(chǎn)品，這再次證明海力士的技術(shù)能力為業(yè)界最高水平；希望在今后DDR3需求量不斷擴(kuò)大的市場(chǎng)環(huán)境中，海力士以領(lǐng)先一步的工程技術(shù)，生產(chǎn)出獨(dú)具特點(diǎn)的產(chǎn)品，成為市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè)。 

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