【產(chǎn)通社，9月7日訊】北京理工大學(xué)（Beijing Institute of Technology, BIT）官網(wǎng)消息，其學(xué)物理學(xué)院張向東教授課題組青年教師陳宇輝研究員與新西蘭維多利亞惠靈頓大學(xué)、奧塔哥大學(xué)，以及北京大學(xué)和西湖大學(xué)的研究者開展合作，在表面等離子體光學(xué)腔和二維半導(dǎo)體二硫化鎢的復(fù)合體系上，通過利用光和物質(zhì)強(qiáng)耦合效應(yīng)，在實(shí)驗(yàn)上實(shí)現(xiàn)了對(duì)二硫化鎢的高效熱電子摻雜，大幅改變了二硫化鎢原有的帶隙，相關(guān)研究成果發(fā)表在國際頂級(jí)期刊《自然·通訊》上。

能帶理論是半導(dǎo)體技術(shù)的重要基礎(chǔ)之一，對(duì)能帶的精細(xì)調(diào)控引發(fā)了許許多多的技術(shù)革命，其中不僅包括了二極管，三極管，大規(guī)模集成電路和激光器等尖端科技，還包括太陽能電池，CCD等和我們?nèi)粘Ｉ钕⑾⑾嚓P(guān)的應(yīng)用。因此，開發(fā)各種新手段去實(shí)現(xiàn)更為有效的帶隙調(diào)節(jié)一直都是半導(dǎo)體研究的重點(diǎn)。

傳統(tǒng)上，我們可以通過化學(xué)摻雜，施加電壓，或者是光學(xué)泵浦的方法來改變半導(dǎo)體內(nèi)的電荷環(huán)境，從而實(shí)現(xiàn)帶隙的改變。我們在最近的研究工作中發(fā)現(xiàn)，如果把二維半導(dǎo)體二硫化鎢放到納米尺度的表面等離子體光學(xué)諧振腔內(nèi)，可以實(shí)現(xiàn)光和物質(zhì)的強(qiáng)耦合效應(yīng)，從而形成一種一半光一半物質(zhì)的雜化狀態(tài)(hybrid state of half-light and half-matter)。當(dāng)體系處在這樣一種雜化狀態(tài)時(shí)，能量會(huì)在二硫化鎢和表面等離激元腔中來回多次地發(fā)生相干轉(zhuǎn)移，因而體系會(huì)同時(shí)具有半導(dǎo)體和光學(xué)腔的物理特性。而每當(dāng)雜化態(tài)的能量以表面等離激元的形式存在時(shí)，金屬中的自由電子都會(huì)被等離激元激發(fā)到更高的能量，從而形成了我們所說的熱電子。這些熱電子具有很高的的能量，可以越過勢壘，注入到二維半導(dǎo)體中，從而導(dǎo)致二硫化鎢的能帶結(jié)構(gòu)發(fā)生重整化。在這一過程中，無論是熱電子在金屬材料中的產(chǎn)生，還是熱電子對(duì)半導(dǎo)體的注入，都是伴隨著能量在表面等離激元和二硫化鎢的相干轉(zhuǎn)移過程中發(fā)生的，我們因而把這樣一個(gè)摻雜過程稱為相干摻雜過程。

基于這樣的技術(shù)思想，我們利用自組裝的方法制備了二氧化硅光子晶體，通過在其表面蒸鍍銀金屬薄膜，制備出表面等離子光子晶體腔；然后再將二維半導(dǎo)體二硫化鎢轉(zhuǎn)移到光子晶體表面。進(jìn)一步地，在室溫條件下，使用中心波長為400nm、功率為12μJ/cm2的飛秒脈沖激發(fā)，我們觀測到了二硫化鎢帶隙移動(dòng)了550meV。相比于傳統(tǒng)的光學(xué)泵浦方式，摻雜效果得到了兩個(gè)數(shù)量級(jí)的增強(qiáng)（以往的實(shí)驗(yàn)需要在3400μJ/cm2的條件下才能觀測到類似的帶隙重整化[Nat. Photonics 9, 466–470 (2015)]）。

查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.bit.edu.cn，以及http://www.nature.com/articles/s41467-021-24667-8。（張嘉汐，產(chǎn)通發(fā)布）     （完）