【產(chǎn)通社，7月25日訊】羅姆株式會社（ROHM Semiconductor；東京證交所股票代碼：6963.T）官網(wǎng)消息，其開發(fā)出650V耐壓、內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT（Hybrid IGBT）RGWxx65C系列（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101。該產(chǎn)品適用于以電氣化車輛為首的電動汽車（xEV）中的車載充電器和DC/DC轉換器、以及太陽能發(fā)電用的功率調(diào)節(jié)器等處理大功率的汽車電子設備和工業(yè)設備。


產(chǎn)品特點


近年來，在全球“創(chuàng)建無碳社會”和“碳中和”等減少環(huán)境負荷的努力中，電動汽車（xEV）得以日益普及。為了進一步提高系統(tǒng)的效率，對各種車載設備的逆變器和轉換器電路中使用的功率半導體也提出了多樣化需求，超低損耗的SiC功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和傳統(tǒng)的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET等）都在經(jīng)歷技術變革。

ROHM致力于為廣泛的應用提供有效的電源解決方案，不僅專注于行業(yè)先進的SiC功率元器件，還積極推動Si功率元器件和驅動IC的技術及產(chǎn)品開發(fā)。此次，開發(fā)了能夠為普及中的車載、工業(yè)設備提供更高性價比的Hybrid IGBT。

RGWxx65C系列是Hybrid型IGBT，在IGBT的反饋單元（續(xù)流二極管）中采用了ROHM的低損耗SiC肖特基勢壘二極管（SiC SBD），成功大幅降低以往IGBT產(chǎn)品導通時的開關損耗（以下稱“開通損耗）。在車載充電器中采用本產(chǎn)品時，與以往IGBT產(chǎn)品相比，損耗可降低67%，與超級結MOSFET（SJ-MOSFET）相比，損耗可降低24%，有助于以更高的性價比進一步降低車載和工業(yè)設備應用的功耗。


供貨與報價


新產(chǎn)品已于2021年3月開始出售樣品（樣品價格：1,200日元/個，不含稅），預計將于2021年12月起暫以月產(chǎn)2萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。另外，在ROHM官網(wǎng)上還免費提供評估和導入本系列產(chǎn)品所需的豐富設計數(shù)據(jù)，其中包括含有驅動電路設計方法的應用指南和SPICE模型等，以支持快速引入市場。

查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.rohm.com.cn。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）