【產(chǎn)通社，6月28日訊】安世半導(dǎo)體（Nexperia；原恩智浦標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品事業(yè)部）官網(wǎng)消息，其位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS(on)和低Qrr，80V和100V MOSFET。新生產(chǎn)線將立即擴(kuò)大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF（100V）和PSMN3R5-80YSF（80V）器件將具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質(zhì)因數(shù)（RDS（on）× Qrr）。

Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導(dǎo)體短缺的情況下，Nexperia積極投資全球制造工廠以提高產(chǎn)能，包括曼徹斯特和菲律賓的MOSFET生產(chǎn)設(shè)備，這對買方來講一個(gè)好消息。新型MOSFET的性能也令設(shè)計(jì)人員感到興奮。這些MOSFET非常適合各種開關(guān)應(yīng)用，也可以替代其他供應(yīng)商的產(chǎn)品�！�


產(chǎn)品特點(diǎn)


NextPower 80V和100V芯片MOSFET可以顯著降低RDS(on)，前一代100V器件為7mΩ，而新器件只有4.3mΩ，效率大大提高。對于100V器件，NextPower技術(shù)還提供44nC的極低Qrr，有效降低了尖峰值和EMI干擾。總體而言，100V器件的Qrr品質(zhì)因數(shù)平均比競爭對手同類產(chǎn)品低61%。

新的80V和100V MOSFET采用具有高熱性能和電氣性能的Nexperia LFPAK56E銅夾片技術(shù)封裝。器件廣泛適用于開關(guān)應(yīng)用，包括AC/DC、DC/DC和電機(jī)控制等。


供貨與報(bào)價(jià)



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