【產(chǎn)通社，6月1日訊】Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd.官網(wǎng)消息，其在動態(tài)閃存（DFM）技術(shù)方面的進展，這是該行業(yè)為未來的低成本、高密度嵌入式或獨立式存儲器應用尋找DRAM替代品的一次飛躍。與DRAM或其他類型的易失性存儲器相比，DFM能夠提供更快的速度和更高的密度。 

DFM的共同發(fā)明人、Unisantis公司的Koji Sakui評論道：“存儲器行業(yè)早已接受了DRAM技術(shù)接近其壽命終點的事實，但其巨大的市場意味著任何替代技術(shù)都必須在性能、成本和未來可擴展性之間取得適當?shù)钠胶�。在大量的�?nèi)部研究和測試之后，我們很高興向市場推出DFM，使之成為長期可行的DRAM首選替代方案�！� 

Unisantis Electronics高級副總裁James Ashforth-Pook補充道：“我們很高興能夠展示動態(tài)閃存（Dynamic Flash Memory），它與目前的DRAM架構(gòu)相比具有明顯的優(yōu)勢。” 

5月18日，在第13屆電氣與電子工程師協(xié)會（IEEE）國際存儲器研討會（IMW）上，Unisantis的Koji Sakui博士和Nozomu Harada博士在一篇題為《帶有雙柵極環(huán)繞柵極晶體管（SGT）的動態(tài)閃存》（Dynamic Flash Memory with Dual Gate Surrounding Gate Transistor, SGT）的論文中首次介紹了由他們發(fā)明的DFM。 

DRAM是一種易失性、基于電容器、破壞性讀取的存儲器，如何在不增加功耗的情況下，繼續(xù)以更低的成本增加更多的存儲量，是其長期以來面臨的挑戰(zhàn)。DFM采用一種革命性的方法來克服傳統(tǒng)易失性存儲器（如DRAM）的局限性，這類傳統(tǒng)存儲器天生具有短暫、規(guī)律且耗電的刷新周期以及破壞性的讀取過程。 

DFM也屬于易失性存儲器，但由于不依賴電容器，因此泄漏路徑較少，在開關晶體管和電容器之間沒有連接。其結(jié)果是一種有可能大幅提高晶體管密度的單元設計，因為DFM不僅能提供塊刷新，而且作為閃存還能提供塊擦除，它可以降低刷新周期的頻率和開銷，與DRAM相比，在速度和功率方面有顯著改善。 

通過使用TCAD仿真，Unisantis證明了DFM與DRAM相比具有將密度提高4倍的巨大潛力。根據(jù)IEEE國際固態(tài)電路會議（ISSCC）最近發(fā)表的論文，DRAM的擴展性幾乎已經(jīng)停止在16Gb。4F2單元密度下的DFM模型顯示出了DFM的完美結(jié)構(gòu)。DFM的設計和開發(fā)意味著顯著的Gb/mm2改進，對于DRAM的限制（目前為16Gb），在使用DFM經(jīng)徹底增強的單元結(jié)構(gòu)之后，可能會立即增加到64Gb內(nèi)存。 

取代DRAM是行業(yè)的一項重大挑戰(zhàn)，這不僅是因為今天的DRAM占當前存儲器市場需求的50%以上（Yole Development, 2020）。預測顯示，到2025年，這種低成本、高密度的DRAM將繼續(xù)增長并且市場規(guī)模將突破1000億美元。然而，包括無電容DRAM、ZRAM或簡單化的GAA和Nanosheet方法在內(nèi)的某些替代品方案同樣面臨著挑戰(zhàn)，與DFM相比，它們都有各自的局限性。 

在今天的發(fā)布之后，公司目前正在尋求進一步推動自身技術(shù)發(fā)展，同時通過一系列存儲器和代工合作伙伴關系，在外部測試和演示DFM的功能和更充分的潛力。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.unisantis.com。（Lisa WU，365PR Newswire）    （完）