【產(chǎn)通社，5月22日訊】中國(guó)科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，與目前主流的FinFET器件相比，納米環(huán)柵器件（GAA）在可微縮性、高性能和低功耗方面更具優(yōu)勢(shì)，被普遍認(rèn)為是下一代集成電路關(guān)鍵核心技術(shù)。其中，垂直納米環(huán)柵器件（VGAA）由于在垂直方向上具有更多的集成自由度，可增加?xùn)艠O和源漏的設(shè)計(jì)空間，減少器件所占面積，更易實(shí)現(xiàn)多層器件間的垂直堆疊并通過(guò)全新的布線方式進(jìn)一步增加集成密度，因此，成為2納米及以下CMOS和高密度DRAM等邏輯及存儲(chǔ)芯片制造技術(shù)方面極具潛力的基礎(chǔ)器件。
微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心朱慧瓏研究員團(tuán)隊(duì)于2016年提出、并于2019年在世界上首次研發(fā)成功自對(duì)準(zhǔn)金屬柵的垂直環(huán)柵納米晶體管，相關(guān)成果發(fā)表在國(guó)際微電子器件領(lǐng)域的頂級(jí)期刊《IEEE Electron Device Letters》上（DOI: 10.1109/LED.2019.2954537）。此后，團(tuán)隊(duì)對(duì)原子層選擇性刻蝕、閾值電壓調(diào)節(jié)、溝道鍺組分、硅化物工藝、可靠性和熱預(yù)算等重要工藝進(jìn)行持續(xù)研發(fā)和優(yōu)化，獲得了兼容主流CMOS工藝的器件集成技術(shù)和優(yōu)異的電學(xué)性能，飽和電流提升了3-7倍 。該研究成果近日發(fā)表在《電氣和電子工程師協(xié)會(huì)電子器件學(xué)報(bào)》期刊上（IEEE Transactions on Electron Devices，DOI: 10.1109/TED.2021.3072879），先導(dǎo)中心高級(jí)工程師張永奎為該文第一作者，朱慧瓏研究員為該文通訊作者。
