【產(chǎn)通社，12月26日】中芯國(guó)際集成電路制造有限公司（SMIC；NYSE股票代碼：SMI；HKEX股票代碼：981）網(wǎng)站消息，其已成功開發(fā)0.13微米高壓驅(qū)動(dòng)技術(shù)。這項(xiàng)新技術(shù)是在中芯國(guó)際0.16微米高壓制程基礎(chǔ)上的改進(jìn)和完善，可開始提供客戶設(shè)計(jì)使用。

中芯國(guó)際0.13微米高電壓技術(shù)不僅能為客戶提供更小尺寸的芯片，而且還可降低功耗以符合下個(gè)技術(shù)世代的需求，如高端驅(qū)動(dòng)IC，特別是在移動(dòng)電視和互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的應(yīng)用。同時(shí)該制程技術(shù)可提供1.5/6/±16伏特電壓以及采用鋁后端金屬方案，適用于高分辨率手機(jī)顯示器驅(qū)動(dòng)。

采用0.13微米技術(shù)，中芯國(guó)際已開發(fā)出芯片代工業(yè)尺寸最小的SRAM位元單元，同時(shí)又保證了出色的功率性能。此技術(shù)可同時(shí)支持e-OTP（可一次性編程）和e-MTP（可多次編程），使顯示優(yōu)化及匹配測(cè)試更為簡(jiǎn)單。

中芯國(guó)際之前還宣布，自2007年12月與IBM簽訂45納米低功耗和高性能bulk CMOS技術(shù)許可協(xié)議不到一年后，其第一批45納米產(chǎn)品已成功通過(guò)良率測(cè)試，標(biāo)志著其45納米工藝進(jìn)入一個(gè)新的里程。

這一技術(shù)目標(biāo)提前完成，進(jìn)一步鞏固了中芯國(guó)際技術(shù)領(lǐng)先者的地位。中芯國(guó)際已與一系列高端客戶簽定45納米代工協(xié)定，計(jì)劃于2009年開始生產(chǎn)。該技術(shù)以SPICE模式為支持，有助于暢通設(shè)計(jì)流程，使客戶能盡早計(jì)劃產(chǎn)品上市時(shí)間。

IBM授權(quán)的45納米bulk CMOS技術(shù)可實(shí)現(xiàn)以下應(yīng)用，包括移動(dòng)設(shè)備，如3G手機(jī)，全球定位系統(tǒng)，以及多媒體處理器。該技術(shù)還可以支持圖形，網(wǎng)絡(luò)，存儲(chǔ)及一般消費(fèi)性裝置的生產(chǎn)制造。