【產(chǎn)通社，12月8日訊】海力士半導(dǎo)體（Hynix）公司網(wǎng)站消息，作為世界最大的DRAM生產(chǎn)商，公司已經(jīng)開發(fā)成功世界首例采用54nm工藝的2Gb移動(dòng)DRAM。
該產(chǎn)品采用MCP(Multi Chip Package，多芯片封裝)、PoP(Package on Package，封裝級封裝)等平臺(tái)，存儲(chǔ)容量是1Gb mobile方案的倍，最大操作速度高達(dá)400Mbps（1.2V供電電壓），可以處理高達(dá)1.6Gbps的數(shù)據(jù)（32bit I/O），其功耗比現(xiàn)有產(chǎn)品低。
新產(chǎn)品采用海力士半導(dǎo)體（Hynix）獨(dú)有的“單芯片”方案，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，能滿足客戶對SDRA和DDR DRAM的需求，可用于MID(Mobile Internet Device) 和UMPC(Ultra Mobile PC)等高密度應(yīng)用需求。
查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問http://hscs.hynix.com/ch_sa/pr/article.jsp
（完）
