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 【產(chǎn)通社,1月15日訊】納微半導體(Navitas Semiconductor)消息,其在2020新型顯示、半導體、5G應用展(SemiExpo 2020)之年度頒獎盛典上被授予“年度半導體材料設計卓越創(chuàng)新獎”(Semiconductor Design Innovation Excellence Award)。本活動由中國通信工業(yè)協(xié)會、深圳市半導體行業(yè)協(xié)會、廣州市半導體協(xié)會、江蘇省半導體行業(yè)協(xié)會、浙江省半導體行業(yè)協(xié)會、成都集成電路行業(yè)協(xié)會、深圳市半導體顯示行業(yè)協(xié)會、深圳市中新材會展有限公司(隸屬于全球媒體展覽集團塔蘇斯Tarsus Group)于12月8-10日在中國深圳新國際會展中心聯(lián)合主辦。 此殊榮用于表彰納微領先的GaNFast功率IC的高性能,該功率IC將氮化鎵(GaN)技術成功地帶來行業(yè)技術革新并運用到各行各業(yè),包括移動充電器、數(shù)據(jù)中心、太陽能逆變器、電動EV和移動應用。 全新的快速氮化鎵(GaN)是下一代功率半導體技術,其運行速度比舊的慢速硅芯片快100倍,并且在節(jié)能和功率密度方面有了顯著提高。 Navitas的GaNFast功率IC將GaN電源(FET)與驅(qū)動、控制和保護集成在一起,以一半的尺寸和重量,實現(xiàn)多達3倍的功率輸出。 Navitas副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理查德瑩杰表示:“Navitas很榮幸能獲得CCIA和SemiExpo頒發(fā)的這一獎項,以表彰GaNFast功率IC在加速5G市場充電方面的創(chuàng)新成就。GaNFast已被行業(yè)內(nèi)許多領先的科技公司采用,其中包括小米、OPPO、聯(lián)想和RealMe,作為其旗艦機型快速充電器的功率IC。深圳市半導體顯示行業(yè)協(xié)會 會長 徐世穎在SemiExpo SZ頒獎典禮上向Navitas代表任慧女士頒發(fā)了“卓越創(chuàng)新獎”。 吸引了50,000多名參觀者,他們從800多家電子工業(yè)供應商那里體驗了最新的領先技術,并吸引了80多家媒體進行報道,了解學習電子工業(yè)最新的創(chuàng)新技術。 Navitas的資深銷售經(jīng)理Jason(Yupu)TAO在SemiExpo的現(xiàn)場演講“Navitas GaNFast: A New Era in Fast Charging”《納微氮化鎵市場分享及展望》中介紹了氮化鎵的高性能和環(huán)境效益,吸引了觀眾們的熱烈掌聲,現(xiàn)場旁聽及通過微博直播觀看的觀眾達到數(shù)百人。 在avitas展位,參觀者了解到最新Navitas GaNFast設備和參考設計方案,這些設備和參考設計實現(xiàn)了前所未有的小尺寸、輕巧和高效率,幫助智能手機、平板電腦、筆記本電腦、顯示器和游戲系統(tǒng)實現(xiàn)了超速充電的夢想。 查詢進一步信息,請訪問官方網(wǎng)站 http://www.navitassemi.com/news。(Lisa WU,365PR Newswire) (完)
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