【產(chǎn)通社，12月18日訊】三安集成電路有限公司（Xiamen Sanan Integrated Circuit Co.， Ltd.）其已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺(tái)的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過(guò)一系列產(chǎn)品性能和可靠性測(cè)試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域，有助于減小系統(tǒng)體積，降低系統(tǒng)功耗，提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測(cè)試階段。


產(chǎn)品特點(diǎn)


本次推出的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET，與傳統(tǒng)的硅基IGBT功率器件相比，寬禁帶碳化硅材料擁有“更高、更快、更強(qiáng)”的特性——更高的耐壓和耐熱、更快的開關(guān)頻率，更低的開關(guān)損耗。優(yōu)異的高溫和高壓特性使得碳化硅MOSFET在大功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色，尤其是高壓應(yīng)用中，在相同的功率下，碳化硅MOSFET自身器件損耗小，極大減小了器件的散熱需求，使系統(tǒng)朝著小型化，輕量化，集成化的方向發(fā)展。這對(duì)“寸土寸金”的電源系統(tǒng)來(lái)說(shuō)至關(guān)重要，比如新能源車載充電器OBC、服務(wù)器電源等。

從碳化硅肖特基二極管到MOSFET，三安集成在3年時(shí)間內(nèi)便完成了碳化硅器件產(chǎn)品線布局。在保證器件性能的前提下，提供高質(zhì)量高可靠性的碳化硅產(chǎn)品。首款工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET采用平面型設(shè)計(jì)，具備優(yōu)異的體二極管能力，高溫直流特性，以及優(yōu)良的閾值電壓穩(wěn)定性。

三安集成碳化硅肖特基二極管于2018年上市后，已完成了從650-1700V的產(chǎn)品線布局，并累計(jì)出貨達(dá)百余萬(wàn)顆，器件的高可靠性獲得客戶一致好評(píng)。


供貨與報(bào)價(jià)


查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.sanan-ic.com。（張嘉汐，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）