【產(chǎn)通社，11月19日訊】力晶科技（股）公司（Powerchip Technology Corporation；TWSE股票代碼：5346）官網(wǎng)消息，其已經(jīng)量產(chǎn)邏輯與DRAM晶圓堆棧（3D Wafer on Wafer，WoW）AI芯片，并已運(yùn)交客戶(hù)投入市場(chǎng)。此一兼具高效能、高帶寬、低功耗優(yōu)勢(shì)的新世代半導(dǎo)體制造技術(shù)突破，預(yù)料將為我國(guó)強(qiáng)盛的晶圓代工產(chǎn)業(yè)再添助力。

力積電董事長(zhǎng)黃崇仁表示，為凸顯該公司兼具邏輯、內(nèi)存代工技術(shù)的獨(dú)特產(chǎn)業(yè)定位，力積電已設(shè)定邏輯電路內(nèi)存組件一體化的未來(lái)發(fā)展路線(xiàn)，并與國(guó)內(nèi)DRAM設(shè)計(jì)公司愛(ài)普科技連手，成功根據(jù)海外客戶(hù)要求，以WoW技術(shù)成功將邏輯與DRAM晶圓堆棧，并完成新一代整合芯片的量產(chǎn);同時(shí)，另一項(xiàng)將邏輯電路與DRAM整合到單一芯片，以AIM（AI Memory）概念問(wèn)世的新產(chǎn)品，也已出貨切入方興未艾的人工智能（AI）市場(chǎng)。

為強(qiáng)化整合邏輯、內(nèi)存代工的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，力積電已與愛(ài)普等設(shè)計(jì)公司連手，進(jìn)一步導(dǎo)入3D WoW技術(shù)，發(fā)展邏輯芯片和DRAM垂直異質(zhì)迭合（Hybrid Bonding）制程，并共同研發(fā)下一代AI應(yīng)用所需的新型DRAM架構(gòu)，透過(guò)此一技術(shù)突破，邏輯電路與DRAM之間的數(shù)據(jù)傳輸帶寬，將達(dá)現(xiàn)行HBM（High Bandwidth Memory）五倍以上。目前力積電、愛(ài)普與其他邏輯芯片代工大廠合作發(fā)展的WoW產(chǎn)品已測(cè)試成功，現(xiàn)正進(jìn)行運(yùn)轉(zhuǎn)速度修正、制造良率改進(jìn)等后續(xù)作業(yè)，預(yù)計(jì)今年底可達(dá)出貨水平。

力積電指出，目前3D堆棧封裝技術(shù)分為WoW和SoIC（Chip on Wafer），日前韓國(guó)三星電子宣布將SRAM芯片堆棧到邏輯主芯片上，即采用SoIC方式。力積電、愛(ài)普及其他邏輯代工大廠合作發(fā)展的3D WoW則是屬于晶圓級(jí)系統(tǒng)整合技術(shù)，具有增加帶寬、降低延時(shí)（Latency）、高性能、低功耗以及更小外觀尺寸等優(yōu)點(diǎn)。

針對(duì)力積電未來(lái)營(yíng)運(yùn)模式，黃崇仁透露，3D WoW將是力晶發(fā)展主軸之一，此項(xiàng)代工業(yè)務(wù)將涵蓋晶圓制造、TSV、堆棧等不同層面的技術(shù)，同時(shí)DRAM架構(gòu)的重新設(shè)計(jì)將是愛(ài)普等設(shè)計(jì)公司的著力重點(diǎn)；在邏輯芯片方面也因?yàn)閼?yīng)用的多樣化、復(fù)雜度，而需與不同的邏輯代工大廠合作，因此力積電除將持續(xù)精進(jìn)新架構(gòu)DRAM等相關(guān)代工制程技術(shù)之外，更將全力發(fā)展上、下游同業(yè)協(xié)力爭(zhēng)取商機(jī)的營(yíng)運(yùn)模式。

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