【產(chǎn)通社，11月2日訊】Diodes公司（NASDAQ股票代碼：DIOD）官網(wǎng)消息，其DMT47M2LDVQ 3.3×3.3mm封裝40V雙MOSFET符合車用規(guī)范，可以取代兩個(gè)分立式MOSFET，以減少眾多汽車產(chǎn)品應(yīng)用中電路板所占用的空間，包括電動座椅控制以及先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等。

Diodes Incorporated車用產(chǎn)品營銷經(jīng)理Ian Moulding如上表示，“汽車的電子零件數(shù)量在過去的十年中迅速增加，激發(fā)出對持續(xù)創(chuàng)新的需求。我們對這項(xiàng)需求的響應(yīng)擴(kuò)大了公司的口碑，成為汽車業(yè)界值得信賴的供貨商。Diodes在這個(gè)市場中已經(jīng)連續(xù)六年創(chuàng)下兩位數(shù)成長的亮眼表現(xiàn)，DMT47M2LDVQ這個(gè)例子顯示我們?nèi)绾螏椭囆袠I(yè)解決其在開發(fā)新一代汽車時(shí)面臨的技術(shù)與商業(yè)挑戰(zhàn)�！�


產(chǎn)品特點(diǎn)


DMT47M2LDVQ整合了兩個(gè)n信道增強(qiáng)模式MOSFET，并就此配置實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最低的RDS（ON）- 在10V的VGS和30.2A的ID時(shí)僅為10.9mΩ。在如此低的導(dǎo)通電阻下，無線充電或馬達(dá)控制等產(chǎn)品應(yīng)用中的傳導(dǎo)損耗可降至最低。在10V的VGS和20A的ID時(shí)，典型的柵極電荷為14.0nC，將交換損耗降至最低。

DMT47M2LDVQ高導(dǎo)熱效率PowerDI 3333-8的結(jié)殼間熱阻（Rthjc）為8.43°C/W，可以開發(fā)出比單獨(dú)封裝MOSFET功率密度更高的終端產(chǎn)品應(yīng)用。如此便能減少實(shí)作汽車功能（諸如ADAS等）所需的PCB面積。


供貨與報(bào)價(jià)


DMT47M2LDVQ符合AEC-Q100 Grade 1等級規(guī)范，能支持PPAP文件，且以IATF 16949標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的生產(chǎn)設(shè)施制造。

查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.diodes.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）     （完）