【產通社，10月27日訊】派恩杰半導體（杭州）有限公司（PN Junction Semiconductor）官網消息，其發(fā)布國了內第一款第三代碳化硅MOSFET，是擁有自主知識產權的工業(yè)級6寸1200V 80mΩ第三代碳化硅MOSFET。

 
產品特點


第三代碳化硅MOS原胞（pitch）尺寸在3.26um，比導通電阻<3.2mΩ·cm2。派恩杰的比導通電阻能達到2.8mΩ，與國際領先水平比肩。

本產品將用于充電樁，車載充電機、UPS、太陽能及風能并網、高鐵、智能電網等，以高性價比、高質量及高技術優(yōu)勢填補國內碳化硅三極管空白市場。主要包括第五代(5G)無線網絡協議、無人駕駛和自動汽車、交通電氣化、增強現實和虛擬現實(AR/VR)。這些應用正在推動3D傳感的應用，提高功率模塊效率和更高頻率的通信應用。所有這些新發(fā)展背后的關鍵器件都是由第三代碳化硅半導體制造而成。

以SiC碳化硅為代表的第三代半導體具有禁帶寬、熱導率高，擊穿場強高，飽和電子漂移速率高，化學性能穩(wěn)定，硬度高，抗磨損，高鍵和高能量以及抗輻射等優(yōu)點，可廣泛用于制造高溫，高頻，高功率，抗輻射，大功率和高密集集成電子器件，已經廣泛應用于大功率高頻電子器件、半導體發(fā)光二極管（LED），以及諸如5G通訊、物流網等微波通訊領域，并被列入《國家中長期科學和技術發(fā)展規(guī)劃綱要》，在國民經濟的發(fā)展中占有重要地位。  

在碳化硅材料方面，國內僅有少數幾家從事碳化硅襯底材料和外延材料的研發(fā)工作。而在碳化硅功率器件方面，雖然清華大學、中國科學院等都有此類器件的課題研究，但主要是理論研究及實驗室的研究成果。不過，國內產業(yè)正在努力趕超外國碳化硅產業(yè)。在產業(yè)鏈方面包括單晶襯底、外延片、器件設計、器件制造等環(huán)節(jié)近期也取得了新的進展。派恩杰團隊已經成為國內半導體設計團隊先驅者。


供貨與報價

 
查詢進一步信息，請訪問官方網站http://www.pnjsemi.com/newsinfo/2278353.html。（Robin Zhang, 張底剪報）    （完）