【產(chǎn)通社，10月17日訊】羅姆株式會社（ROHM Semiconductor；東京證交所股票代碼：6963.T）官網(wǎng)消息，其開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101的超小型MOSFET RV8C010UN、RV8L002SN、BSS84X，尺寸僅為1.0×1.0mm。近年來，隨著汽車電子化進程的加速，一臺汽車中使用的電子元器件和半導體元器件數(shù)量呈增多趨勢。因此，需要在有限的空間里安裝更多的元器件，安裝密度越來越高。例如，1個車載ECU中的半導體和積層陶瓷電容器的平均搭載數(shù)量，預計到2025年將從2019年的186個增加至230個，增加近3成。為了滿足安裝密度越來越高的車載應用的需求，市場對小型化的要求也越來越高，因此能夠兼顧小型和高散熱性的底部電極封裝形式開始受到青睞。

另一方面，對于車載元器件，為確保可靠性，雖然會在安裝元器件后實施AOI，但由于底部電極封裝只在底部有電極，故無法確認焊接狀態(tài)，進行車載標準的AOI有一定難度。


產(chǎn)品特點


新產(chǎn)品采用融入ROHM自有工藝方法的Wettable Flank成型技術(shù)，以1.0×1.0mm的尺寸，保證了封裝側(cè)面電極部分125μm的高度，屬于業(yè)內(nèi)較高水平。經(jīng)自動光學檢查（以下簡稱“AOI”），在追求品質(zhì)的車載相關(guān)設備上安裝重要元器件后會實施該檢查）確認，實現(xiàn)了非常出色的焊接可靠性。另外，通常小型化和高散熱性之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，采用底部電極結(jié)構(gòu)的新封裝同時兼顧了小型化與高散熱性，非常適用于電路板高密度化的車載ECU和高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等相關(guān)設備。

（1）利用融入ROHM自有工藝方法的Wettable Flank成型技術(shù)，保證封裝側(cè)面電極部分125μm的高度。
采用傳統(tǒng)技術(shù)的底部電極封裝，因其無法在引線框架側(cè)面進行電鍍加工，無法確保車載所需的焊料高度，難以實施AOI。新產(chǎn)品采用ROHM自有的Wettable Flank成型技術(shù)，實現(xiàn)達到引線框架上限的電鍍加工，以1.0×1.0mm的尺寸，保證封裝側(cè)面電極部分高度達125μm。即使是底部電極封裝，也可實現(xiàn)穩(wěn)定的焊接圓角，通過元器件安裝后的AOI可切實確認焊接狀態(tài)。
 
（2）替換為超小型、高散熱性的MOSFET，可應對電路板的高密度化。
新產(chǎn)品尺寸僅為1.0×1.0mm（DFN1010封裝），卻實現(xiàn)了與2.9×2.4mm尺寸（SOT-23封裝）同等的性能，可削減安裝面積達85%左右。不僅如此，通過采用散熱性能優(yōu)異的底部電極，與SOT-23封裝相比，可將通常因體積縮小而降低的散熱性提高65%。新產(chǎn)品兼顧了小型化與高散熱性，非常適用于隨功能增加，電路板日益高密度化的車載ECU和ADAS相關(guān)設備等應用。


供貨與報價


新產(chǎn)品已于2020年9月開始暫以月產(chǎn)10萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)（樣品價格：100日元/個，不含稅）。

查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.rohm.com.cn。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）