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東芝SSM6N951L 12V共漏極N溝道MOSFET用于電池保護(hù)電路
2020/10/7 11:17:20     

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【產(chǎn)通社,10月7日訊】東芝電子元件及存儲裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)官網(wǎng)消息,其推出SSM6N951L 12V共漏極N溝道MOSFET,用于移動設(shè)備鋰離子電池組中的電池保護(hù)電路。


產(chǎn)品特點(diǎn)


鋰離子電池組中的電池保護(hù)電路要求電阻極低,不僅要降低充放電過程中的熱損耗,而且還要同時(shí)具備高密度和高冗余度,提高保護(hù)電路自身的安全性。滿足這樣的要求需要小巧纖薄、導(dǎo)通電阻非常低的MOSFET。

東芝已開發(fā)出一種專用的微細(xì)加工技術(shù),它具備優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻特性,能夠滿足快充等新需求。將該技術(shù)應(yīng)用于SSM6N951L有助于通過降低待機(jī)功耗來延長電池使用時(shí)間,這是因?yàn)闁旁绰╇娏鬏^低,而且具備行業(yè)領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻,從而實(shí)現(xiàn)降低功耗。

這種新型MOSFET采用超小、超薄的芯片封裝尺寸(CSP)(2.14×1.67mm厚度:典型值0.11mm),可用于電池組狹小的貼裝空間中。主要特性包括:
- 行業(yè)領(lǐng)先[1]的低導(dǎo)通電阻:RSS(ON)=4.6mΩ(典型值)@VGS=3.8V;
- 行業(yè)領(lǐng)先[1]的低柵源漏電流:IGSS=±1μA(最大值)@VGS=±8V;
- 小型表面貼裝TCSP6A-172101封裝:2.14×1.67mm厚度:0.11mm(典型值);
- 便于在電池保護(hù)電路中使用的共漏極結(jié)構(gòu)。


供貨與報(bào)價(jià)


新產(chǎn)品將于今日開始出貨,東芝將繼續(xù)針對此類應(yīng)用開發(fā)產(chǎn)品。查詢進(jìn)一步信息,請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://toshiba-semicon-storage.com/cn/top.html。(Lisa WU, 365PR Newswire)    (完)
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