【產(chǎn)通社，8月30日訊】華潤微電子有限公司（China Resources Microelectronics Limited；股票代碼：688396）2020年半年度報(bào)告顯示，其在主要的業(yè)務(wù)領(lǐng)域均掌握了一系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)，大部分核心技術(shù)均為國內(nèi)領(lǐng)先，其中溝槽型SBD設(shè)計(jì)及工藝技術(shù)、光電耦合和傳感系列芯片設(shè)計(jì)和制造技術(shù)及BCD工藝技術(shù)國際領(lǐng)先。上述核心技術(shù)已成熟并廣泛應(yīng)用于公司產(chǎn)品的批量生產(chǎn)中。

截至2020年6月底，公司境內(nèi)專利申請2,648項(xiàng)，PCT國際專利申請410項(xiàng)，境外專利申請311項(xiàng)；公司已獲得授權(quán)并維持有效的專利共計(jì)1,483項(xiàng)，其中境內(nèi)專利1,303項(xiàng)、境外專利180項(xiàng)。

報(bào)告期內(nèi)，公司主要取得的研發(fā)成果如下：
（1）公司充分利用IDM模式優(yōu)勢和在功率器件領(lǐng)域雄厚的技術(shù)積累開展SiC功率器件研發(fā)，向市場發(fā)布第一代SiC工業(yè)級肖特基二極管（1200V、650V）系列產(chǎn)品，國內(nèi)首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)。產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能、UPS、充電樁、儲(chǔ)能和車載電源等領(lǐng)域。
（2）公司中低壓功率SGT MOSFET產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵核心技術(shù)突破，器件性能達(dá)到對標(biāo)產(chǎn)品的國際先進(jìn)水平。
（3）報(bào)告期內(nèi)，公司完成5A-43A系列化超結(jié)MOS器件產(chǎn)品的開發(fā)，多顆產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。
（4）公司向市場推出了30V系列新一代溝槽柵MOS產(chǎn)品，整體性能達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平。
（5）公司多芯片封裝集成IPM模塊實(shí)現(xiàn)批量銷售，同時(shí)向家電市場推出多顆不同電流和電壓的系列化產(chǎn)品。
（6）公司推出全新的πMOS系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品具有電流密度高、開關(guān)速度快、浪涌能力強(qiáng)、制造成本低等多種優(yōu)勢，可以廣泛用于LED電源、適配器、充電器等領(lǐng)域。
（7）公司自主研發(fā)的采用國產(chǎn)32位CPU IP的MCU產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)客戶導(dǎo)入，并持續(xù)開發(fā)系列化產(chǎn)品方案。
（8）公司成功推出適用于電動(dòng)自行車、平衡車的7節(jié)、10節(jié)硬件保護(hù)產(chǎn)品PT6007B、PT6010，并實(shí)現(xiàn)全系列硬件保護(hù)產(chǎn)品，支持鐵鋰電池應(yīng)用。
（9）公司完成光電高壓可控硅成品平臺(tái)研發(fā)，推出過零觸發(fā)和隨機(jī)相位觸發(fā)等多顆產(chǎn)品。
（10）公司光電MEMS傳感器工藝平臺(tái)從6英寸升級到8英寸，實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)；MEMS硅麥克風(fēng)工藝平臺(tái)從6英寸升級到8英寸，首顆代表產(chǎn)品參數(shù)達(dá)標(biāo)；整體提升了公司MEMS工藝技術(shù)水平和競爭能力。

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