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瑞薩電子推出HIP221x系列100V半橋MOSFET驅動器
2020/7/5 9:52:44     

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【產(chǎn)通社,7月5日訊】瑞薩電子株式會社(Renesas Electronics;TSE東京證券交易所股票代碼:6723)官網(wǎng)消息,其全新100V半橋MOSFET驅動器——HIP2211和HIP2210適用于48V通訊電源、D類音頻放大器、太陽能逆變器和UPS逆變器。該產(chǎn)品堅固耐用,可為鋰離子電池供電的家用和戶外產(chǎn)品、水泵及冷卻風扇中的48V電機驅動器供電。

瑞薩電子工業(yè)與通信事業(yè)部副總裁Philip Chesley表示:“創(chuàng)新的HIP221x延續(xù)了我們在Harris智能電源(HIP)半橋驅動器研發(fā)領域25年行業(yè)領先的輝煌歷史。強大且穩(wěn)健的抗噪性、超低傳輸延遲及高系統(tǒng)效率是我們的客戶對整個HIP半橋MOSFET驅動器系列所依賴的關鍵特性。”


產(chǎn)品特點


HIP221x驅動器專為嚴苛工作條件下的可靠運行而設計,其高速、高壓HS引腳可承受高達-10V的持續(xù)電壓,并以50V/ns速度轉換。全面的欠壓保護與HIP2210的可編程防擊穿保護協(xié)同工作,以確保其驅動的MOSFET不會因電源或其它外部故障而損壞。瑞薩HIP221x驅動器具有強大的3A驅動拉電流和4A驅動灌電流,以及極快的15ns典型傳播延遲和2ns典型延遲匹配,是高頻開關應用的最佳解決方案。

HIP2210和HIP2211兩款產(chǎn)品均旨在搭配瑞薩先進的DC/DC及無刷電機驅動系統(tǒng)中的微控制器而設計,關鍵特性包括:
- 15VDC自舉電源最大電壓(最大絕對值為120V HS)可支持100V半橋架構;
- 寬VDD電壓,工作范圍為6-18V(最大絕對值為20V);
- HS引腳可承受高達-10V的電壓和50V/ns電壓轉換速率;
- 集成0.5Ω典型自舉二極管,無需使用外部分立二極管;
- VDD和引導UVLO防止低柵極電壓驅動NFET;
- 通過RDT引腳(僅適用于HIP2210)的可調死區(qū)時間延遲可防止擊穿,單電阻可調范圍為35-350ns。


供貨與報價


HIP2211和HIP2210現(xiàn)可從瑞薩電子全球分銷商處購買,兩款產(chǎn)品1,000片批量時單價均為1.3美元。HIP2211采用8引腳SOIC和10引腳4×4mm TDFN封裝。HIP2210采用10引腳4×4mm TDFN封裝。

查詢進一步信息,請訪問官方網(wǎng)站http://www2.renesas.cn/products/hip2211,以及http://www2.renesas.cn/products/hip2210。(Lisa WU, 365PR Newswire)    (完)
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