【產(chǎn)通社，6月21日訊】Diodes公司（NASDAQ股票代碼：DIOD）官網(wǎng)消息，其新一代首款獨(dú)立MOSFET DMN3012LEG采用輕巧封裝，可提升效率，大幅節(jié)省各種電源轉(zhuǎn)換與控制產(chǎn)品應(yīng)用的成本、電力與空間。


產(chǎn)品特點(diǎn)


DMN3012LEG在單一封裝內(nèi)整合雙MOSFET，尺寸僅3.3×3.3mm，相較于典型雙芯片解決方案，電路板空間需求最多減少50%。此節(jié)省空間的特點(diǎn)，有利于使用負(fù)載點(diǎn)（PoL）與電源管理模塊的一系列產(chǎn)品應(yīng)用。DMN3012LEG可用于DC-DC同步降壓轉(zhuǎn)換器與半橋電源拓?fù)洌钥s小功率轉(zhuǎn)換器解決方案的尺寸。

PowerDI 3333-8 D型封裝的3D結(jié)構(gòu)有助增加整體功率效率，且高電壓與額定電流大幅擴(kuò)大其應(yīng)用范圍。完全接地墊片設(shè)計(jì)可帶來(lái)良好的散熱效能，降低整個(gè)解決方案的運(yùn)作溫度，還能善用高切換速度及其效率，免去大型電感器和電容器的需求。

DMN3012LEG整合兩個(gè)N信道的增強(qiáng)模式MOSFET，非常適合用于同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。此組件使用橫向擴(kuò)散MOS（LDMOS）制程，結(jié)合快速導(dǎo)通和間斷動(dòng)作，Q1延遲時(shí)間僅5.1ns和6.4ns，Q2僅4.4ns和12.4ns，且Q1最大導(dǎo)通電阻（RDS(on)）在Vgs=5V時(shí)僅12mΩ，Q2在Vgs=5V時(shí)則是6mΩ。若閘源極電壓為10V，DMN3012LEG可接受30V汲源極電壓，同時(shí)支持5V閘極驅(qū)動(dòng)。


供貨與報(bào)價(jià)


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