【產(chǎn)通社，4月15日訊】Transphorm公司消息，其芯推出的第四代GaN平臺(tái)與前幾代GaN技術(shù)相比，在性能、可設(shè)計(jì)性和成本方面都有顯著進(jìn)步，第四代及以后的平臺(tái)都將相應(yīng)地被稱為SuperGaN技術(shù)。 

Transphorm全球技術(shù)營(yíng)銷和北美銷售副總裁Philip Zuk表示：“我們希望Transphorm的SuperGaN FET像硅基超結(jié)MOSFET的發(fā)展一樣，繼續(xù)影響下一代電力電子產(chǎn)品。通過(guò)提供更出色的性能，并提高用戶的整體投資回報(bào)率，我們的第四代GaN平臺(tái)正在其它功率等級(jí)上創(chuàng)造新的設(shè)計(jì)機(jī)會(huì)。我們能夠在不犧牲可靠性的情況下減少損耗，并將初始設(shè)備投資降低到接近用戶之前使用硅基產(chǎn)品時(shí)的水平，這表明，GaN在市場(chǎng)上的地位正在強(qiáng)化�！� 


產(chǎn)品特點(diǎn)


Transphorm公司SuperGaN系列的第一款通過(guò)JEDEC認(rèn)證的器件是TP65H300G4LSG。這是一顆650V GaN FET，采用PQFN88封裝，導(dǎo)通電阻為240毫歐。第二款SuperGaN器件是TP65H035G4WS，同樣為650V GaN FET，采用TO-247封裝，導(dǎo)通電阻為35毫歐。這些器件目前正處于提供樣品階段，并將分別在第二季度和第三季度發(fā)布。它們的目標(biāo)應(yīng)用包括適配器、服務(wù)器、電信、廣泛的工業(yè)和可再生能源。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可以在Transphorm的4kW無(wú)橋式圖騰柱AC-DC評(píng)估板TDTTP4000W066C-KIT中評(píng)估這項(xiàng)技術(shù)。 

在設(shè)計(jì)第四代產(chǎn)品時(shí)，Transphorm的工程團(tuán)隊(duì)借鑒了先前產(chǎn)品生產(chǎn)記錄的經(jīng)驗(yàn)，并不斷追求提高性能、可制造性和降低成本，從而設(shè)計(jì)出歸于至簡(jiǎn)又具備實(shí)質(zhì)性改進(jìn)的新產(chǎn)品。 新平臺(tái)專利技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于增強(qiáng)了Transphorm GaN固有的高性能，簡(jiǎn)化了組裝和應(yīng)用，這將是促成SuperGaN品牌成功的催化劑。 

在其專利技術(shù)的推動(dòng)下，SuperGaN Gen IV的優(yōu)勢(shì)包括： 
- 提升了性能：第四代產(chǎn)品的效率曲線更平坦、取值更高，其FOM優(yōu)異度（RON * QOSS）提高了大約10個(gè)百分點(diǎn)。 
- 設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單：高工作電流下不再需要使用開關(guān)節(jié)點(diǎn)緩沖電路，簡(jiǎn)化了第四代產(chǎn)品在設(shè)計(jì)中的應(yīng)用。 
- 增強(qiáng)了抗浪涌電流的能力：消除了半橋中內(nèi)置續(xù)流二極管功能對(duì)開關(guān)電流的限制。 
- 降低了器件成本：第四代產(chǎn)品的設(shè)計(jì)創(chuàng)新和專利技術(shù)同樣簡(jiǎn)化了器件的封裝，從而降低了成本，使TransphormGaN的價(jià)格更接近于硅晶體管。 
- 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的穩(wěn)定性/可靠性：第四代35毫歐FET的柵極穩(wěn)定性和抗擾度與Transphorm第三代器件相同，均為+/-20Vmax和4V。 


供貨與報(bào)價(jià)


查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.transphormchina.com。（Donna Zhang, 張底剪報(bào)）    （完）