【產(chǎn)通社，2月26日訊】華邦電子股份有限公司（Winbond Electronics Corp.；TWSE股票代碼：2344）官網(wǎng)消息，其新型高速OctalNAND Flash產(chǎn)品，可望使高容量Serial NAND Flash成為當(dāng)前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案。眾所周知，NOR Flash在512Mb以上的儲(chǔ)存容量成本擴(kuò)充效益不佳，新產(chǎn)品提供車(chē)用電子與工業(yè)制造商高容量的儲(chǔ)存內(nèi)存產(chǎn)品，無(wú)須屈就成本，砸大錢(qián)購(gòu)買(mǎi)NOR Flash。

華邦電子經(jīng)理黃信偉表示，新型OctalNAND Flash是將不可能化為可能。華邦車(chē)用與工業(yè)市場(chǎng)的客戶，現(xiàn)在只需支付Octal NOR Flash一部分的費(fèi)用，便能在1Gb至4Gb容量裝置上獲得每秒240MB讀寫(xiě)效能。


產(chǎn)品特點(diǎn)


作為首款采用1Gb W35N01JW全新接口的產(chǎn)品，連續(xù)讀取速度最高可達(dá)每秒240MB，相較華邦先前發(fā)表的高效能W25N-JW QspiNAND Flash系列產(chǎn)品，速度高出3倍。想當(dāng)然爾，相較市面上一般的Quad Serial NAND Flash產(chǎn)品，讀取速度更是快了將近10倍！

W35N-JW OctalNAND Flash采用華邦通過(guò)驗(yàn)證的46nm SLC NAND制程，提供卓越的數(shù)據(jù)完整性，且數(shù)據(jù)保存期更可達(dá)10年以上。此產(chǎn)品寫(xiě)入/抹除次數(shù)（Program/Erase Cycle）可達(dá)10萬(wàn)次以上，可符合關(guān)鍵任務(wù)型車(chē)用與工業(yè)應(yīng)用所需的高耐用性與高可靠性。
 
一般而言，由于NOR Flash技術(shù)可靠性高且讀寫(xiě)速度快，可支持快速啟動(dòng)，因而華邦客戶大多以此技術(shù)作為內(nèi)存存儲(chǔ)方案。然而，以目前業(yè)界的晶圓制程技術(shù)，在內(nèi)存容量達(dá)512Mb的情況下，NOR Flash芯片大小已經(jīng)到達(dá)了業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝的極限，超過(guò)512Mb之后，擴(kuò)充效益低落，大幅推升晶粒尺寸與封裝成本。在車(chē)用繪圖顯示器、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等應(yīng)用上，啟動(dòng)程序所需內(nèi)存通常大于512Mb，為了使車(chē)用與工業(yè)OEM廠商得以在采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝且合乎成本效益的儲(chǔ)存方案，華邦著手研發(fā)OctalNAND Flash。 

華邦新型OctalNAND Flash可部分兼容于Octal NOR Flash，可望簡(jiǎn)化在現(xiàn)有設(shè)計(jì)中更換NOR Flash裝置的過(guò)程。W35N-JW裝置的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)級(jí)8×6mm BGA封裝，接腳兼容于Serial NOR Flash產(chǎn)品，且針腳完全兼容于現(xiàn)今市面的Xccela? Flash以及OctaFlash NOR產(chǎn)品。華邦引領(lǐng)車(chē)用客戶于最新設(shè)計(jì)中，以1Gb W35N01JW OctalNAND Flash取代Octal NOR Flash內(nèi)存產(chǎn)品，來(lái)取得更大的容量與更低的物料清單成本。

W35N-JW的設(shè)計(jì)包含重置腳位（Reset Pin），以期讓客戶實(shí)現(xiàn)符合車(chē)輛安全需求的硬件功能。重置腳位功能兼容于NOR Flash裝置的接腳排列 （pin-out），使客戶得以保留現(xiàn)有用于重啟系統(tǒng)的軟件。 

W35N-JW系列產(chǎn)品在SDR模式下，工作頻率最高可達(dá)166MHz；而在DDR模式下，最高則可達(dá)到120MHz。此系列產(chǎn)品工作電壓為1.7-1.95V，數(shù)據(jù)完整性則是由內(nèi)建1位糾錯(cuò)碼（ECC）維護(hù)；而利用ECC和內(nèi)建的LUT（Look-Up-Table）也有助優(yōu)化芯片的壞塊管理（Bad Block Management）。


供貨與暴擊哎


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