【產(chǎn)通社，11月16日訊】Transphorm公司消息，其已交付了逾50萬高壓GaN FET。這一里程碑的實(shí)現(xiàn)歸因于客戶對(duì)其高質(zhì)量、高可靠性GaN平臺(tái)的不斷采用。

許多工業(yè)、基礎(chǔ)設(shè)施、IT和PC游戲市場(chǎng)的客戶已經(jīng)公開宣布了使用Transphorm的GaN技術(shù)制造的在產(chǎn)設(shè)備。這說明了人們對(duì)于GaN解決方案的信心日益增強(qiáng)，預(yù)計(jì)它將成為一個(gè)有吸引力的市場(chǎng)。

事實(shí)上，現(xiàn)已屬于Informa Tech旗下的行業(yè)分析公司IHS Markit Technology預(yù)測(cè)，GaN電源分立器件、模塊和系統(tǒng)IC的總收入到2028年將達(dá)到12億美元，其中約7.5億美元（占整個(gè)市場(chǎng)的近2/3）來自于高壓GaN解決方案1。

Transphorm聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席運(yùn)營官Primit Parikh表示：“在業(yè)界普遍使用單芯片常關(guān)硅MOSFET的時(shí)候，我們就推出了最強(qiáng)大的兩芯片常關(guān)器件。正如我們眾所周知的發(fā)展勢(shì)頭以及消費(fèi)類適配器領(lǐng)域中其他知名制造商（如Power Integrations）所證明的那樣，兩芯片常關(guān)GaN解決方案是當(dāng)今最實(shí)用的高壓GaN FET設(shè)計(jì)。事實(shí)上，正是這種設(shè)計(jì)才使Transphorm的GaN實(shí)現(xiàn)了高性能和高可靠性，獲得了迄今為止超過50億小時(shí)（<2 FIT）的現(xiàn)場(chǎng)可靠性數(shù)據(jù)�！�

Transphorm產(chǎn)品的成功很大程度上還是歸因于其產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性（Q+R）。這種Q+R以該公司強(qiáng)大的常關(guān)型GaN平臺(tái)、對(duì)外延工藝的強(qiáng)大控制以及制造能力為后盾——可以很好地滿足從消費(fèi)型適配器到汽車等各種跨行業(yè)市場(chǎng)的數(shù)量和質(zhì)量要求。這些因素的綜合使該公司能夠生產(chǎn)具備空前可靠性、可設(shè)計(jì)性、可驅(qū)動(dòng)性和可再現(xiàn)性的GaN FET。

Transphorm全球技術(shù)營銷兼北美銷售副總裁Philip Zuk表示：“在GaN的目標(biāo)核心高功率市場(chǎng)中取得成功之后，我們還正與快速增長(zhǎng)的半導(dǎo)體落后市場(chǎng)（如消費(fèi)類適配器和機(jī)頂盒）的客戶合作，因?yàn)榈侥壳盀橹�，我們已�?jīng)交付的大多數(shù)產(chǎn)品都針對(duì)的是更高功率的應(yīng)用。超過50萬的650V FET相當(dāng)于400多萬低功率（低于100瓦）FET，這證明了我們的批量生產(chǎn)能力�！�

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