【產(chǎn)通社，7月17日訊】意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；NYSE股票代碼：STM）官網(wǎng)消息，其STDRIVE601三相柵極驅(qū)動(dòng)器用于驅(qū)動(dòng)600V N溝道功率MOSFET和IGBT管，穩(wěn)健性居目前業(yè)內(nèi)最先進(jìn)水平，可耐受低至-100V的負(fù)尖峰電壓，邏輯輸入響應(yīng)速度在85ns以內(nèi)，處于同級(jí)產(chǎn)品一流水平。 


產(chǎn)品特點(diǎn)


STDRIVE601內(nèi)置智能關(guān)斷電路，可提高保護(hù)功能的啟動(dòng)速度，在檢測(cè)到過載或短路后，立即關(guān)閉柵極驅(qū)動(dòng)器輸出。用外部電容和電阻設(shè)定斷態(tài)持續(xù)時(shí)間，必要時(shí)，設(shè)計(jì)人員可以用較大的C-R值設(shè)置所需時(shí)間，而不會(huì)影響關(guān)斷反應(yīng)時(shí)間。STDRIVE601具有低電平有效故障指示器引腳。

STDRIVE601可以替代三個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器，簡(jiǎn)化PCB電路板布局設(shè)計(jì)，優(yōu)化三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的性能，可以驅(qū)動(dòng)家電、工業(yè)縫紉機(jī)、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和風(fēng)扇等設(shè)備。所有輸出均可灌入350mA電流，源出200mA電流，柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍為9-20V，可驅(qū)動(dòng)N溝道功率MOSFET或IGBT管。低邊和高邊之間的延遲匹配功能消除了周期失真現(xiàn)象，并允許高頻開關(guān)操作，而互鎖和死區(qū)插入特性可防止交叉導(dǎo)通。

STDRIVE601采用意法半導(dǎo)體的BCD6S離線功率開關(guān)制造工藝，驅(qū)動(dòng)電源是高達(dá)21V的邏輯電源電壓和高達(dá)600V的高邊自舉電壓。驅(qū)動(dòng)器集成自舉二極管，節(jié)省物料清單成本，并且低邊和高邊驅(qū)動(dòng)電路都有欠壓鎖定（UVLO）功能，可防止電源開關(guān)在低能效或危險(xiǎn)條件下運(yùn)行。


供貨與報(bào)價(jià)


EVALSTDRIVE601評(píng)估板現(xiàn)已上市，可以幫助用戶探索STDRIVE601驅(qū)動(dòng)器的功能，快速創(chuàng)建并運(yùn)行首個(gè)原型系統(tǒng)。STDRIVE601芯片現(xiàn)已投入生產(chǎn)，采用SO28封裝。

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