【產(chǎn)通社，6月30日訊】華虹半導(dǎo)體有限公司（Hua Hong Semiconductor Limited；HKEX股票代碼：01347）官網(wǎng)消息，其第三代90納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：“華虹半導(dǎo)體是嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的領(lǐng)航者，未來(lái)將繼續(xù)聚焦200mm差異化技術(shù)的研發(fā)創(chuàng)新，面向高密度智能卡與高端微控制器市場(chǎng)，同時(shí)不斷致力于在功耗和面積方面提供顯著的優(yōu)化，將200mm現(xiàn)有的技術(shù)優(yōu)勢(shì)向300mm延伸，更好地服務(wù)國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)公司，滿(mǎn)足市場(chǎng)需求�！�

華虹半導(dǎo)體一直深耕嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，通過(guò)不斷的技術(shù)創(chuàng)新，第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近0%，再創(chuàng)全球晶圓代工廠90納米工藝節(jié)點(diǎn)嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸紀(jì)錄。Flash IP具有更明顯的面積優(yōu)勢(shì)，使得芯片整體面積進(jìn)一步減小，從而在單片晶圓上獲得更多裸芯片數(shù)量。

與此同時(shí)，光罩層數(shù)也隨之進(jìn)一步減少，有效縮短了流片周期。而可靠性指標(biāo)繼續(xù)保持著高水平，可達(dá)到10萬(wàn)次擦寫(xiě)及25年數(shù)據(jù)保持能力。近年來(lái)，華虹半導(dǎo)體在90納米工藝節(jié)點(diǎn)連續(xù)成功推出三代閃存工藝平臺(tái)，在保持技術(shù)優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，不斷探求更高性?xún)r(jià)比的解決方案。第三代工藝平臺(tái)的大規(guī)模穩(wěn)定量產(chǎn)，為電信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片產(chǎn)品以及微控制器（MCU）等多元化產(chǎn)品提供持續(xù)穩(wěn)定的支持和解決方案。

查詢(xún)進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.huahonggrace.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）