【產(chǎn)通社，6月29日訊】Transphorm公司消息，其推出第二款900V場效應(yīng)晶體管——第三代TP90H050WS，在1000V的瞬態(tài)額定值下具備50MΩ的典型導(dǎo)通電阻，并采用標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝。

PowerAmerica為該項(xiàng)目提供部分資金，其副執(zhí)行董事兼首席技術(shù)官Victor Veliadis表示：“900V氮化鎵功率器件打破了目前不支持氮化鎵半導(dǎo)體應(yīng)用的技術(shù)壁壘。憑借諸如900V氮化鎵平臺(tái)之類的創(chuàng)新技術(shù)，Transphorm正推動(dòng)該行業(yè)不斷進(jìn)步并創(chuàng)造了大量新的客戶機(jī)會(huì)。” 

Transphorm聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席運(yùn)營官Primit Parikh表示：“Transphorm最新900V氮化鎵產(chǎn)品標(biāo)志著商用氮化鎵功率晶體管的一個(gè)重要里程碑，因?yàn)樗氏仍跇I(yè)界達(dá)到了1kV的目標(biāo)。這為推動(dòng)氮化鎵產(chǎn)品在這些高壓節(jié)點(diǎn)中成為一種可行的方案創(chuàng)造了條件。美國能源部先進(jìn)能源研究計(jì)劃署（ARPA-E）提供了部分資金，成功降低了早期階段的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)Power America在最初產(chǎn)品認(rèn)證方面提供了幫助，這一舉措體現(xiàn)了公私合作所取得的巨大成功，加快了氮化鎵的市場普及進(jìn)程。” 


產(chǎn)品特點(diǎn)


TP90H050WS在典型半橋結(jié)構(gòu)下可達(dá)到8kW的功率等級(jí)，同時(shí)保持效率可高達(dá)99%以上。其品質(zhì)因數(shù)Ron*Qoss（諧振開關(guān)拓?fù)洌┡cRon*Qrr（硬開關(guān)電橋拓?fù)洌┍瘸Ｒ姵Y(jié)技術(shù)產(chǎn)品的品質(zhì)因數(shù)低2-5倍，這意味著開關(guān)損耗將大大降低。雖然通過JEDEC認(rèn)證的版本預(yù)計(jì)于2020年第一季度推出，而客戶如今便能夠設(shè)計(jì)出900V GaN電源系統(tǒng)。 

Transphorm 900V氮化鎵平臺(tái)為已成為公司650V場效應(yīng)晶體管的目標(biāo)應(yīng)用場合的各類系統(tǒng)提供更高水平的擊穿電壓，例如可再生能源、汽車及各種廣泛的工業(yè)應(yīng)用。該平臺(tái)適用于采用DC-DC轉(zhuǎn)換器及逆變器中常用的無橋式圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC）半橋式配置進(jìn)行部署。在高壓下支持這些拓?fù)涞哪芰U(kuò)大了Transphorm的目標(biāo)應(yīng)用，目前涵蓋不間斷電源和高電瓶電壓節(jié)點(diǎn)下的汽車充電器或轉(zhuǎn)換器等一系列廣泛的三相工業(yè)應(yīng)用。 

TP90H050WS除具有如前所述的差異化特性之外，還具備以下優(yōu)點(diǎn)： 
- 可使用現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)器輕松驅(qū)動(dòng)； 
- 可靠的柵極安全裕度； 
- 功率密度高于現(xiàn)有的硅技術(shù)； 
- 性能超越IGBT、超結(jié)技術(shù)； 
- 降低了系統(tǒng)總成本； 
- 減輕系統(tǒng)重量。 


供貨與報(bào)價(jià) 


Transphorm的首個(gè)900V器件TP90H180PS具有170兆歐的典型導(dǎo)通電阻，采用TO-220封裝，通過JEDEC認(rèn)證，自2017年以來通過得捷電子（Digi-Key）進(jìn)行產(chǎn)品供應(yīng)。該產(chǎn)品的峰值效率可達(dá)到99%，證明其適用于3.5千瓦的單相逆變器。 

新產(chǎn)品TP90H050WS目前處于樣品提供階段。查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.transphormchina.com。（Donna Zhang, 張底剪報(bào)）    （完）